科创中国

国务院政府特殊津贴专家，中国电机工程学会会士，中国电力科学技术杰出贡献奖获得者，首都科技盛典人物获得者。全球能源互联网研究院原院长，电力系统电能质量及柔性输电标准化技术委员会主任委员，中国电机工程学会电力系统电力电子器件专委会主任委员，长期从事电力系统自动化、柔性交直流输电、功率半导体器件技术领域的研究和开发工作。 获国家技术发明二等奖1项，国家科学技术进步二等奖1项，国家能源科技进步三等奖1项，中国电力科学进步一等奖3项，申请国内专利40余项，发表论文50余篇。

中国科学院电工研究所 研究员，2014入选中组部“青年千人计划”，主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究。发表EI检索论文近百篇，包括17篇SCI检索论文，并申请专利9项。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中科院重点研究等项目10项。

电子与信息工程学院教授，担任CASA国际分委会封装/模块工作组副组长，中国电源学会元器件专委会副主任委员，I中国科学院电工研究所 研究员，2014入选中组部“青年千人计划”，主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究。发表EI检索论文近百篇，包括17篇SCI检索论文，并申请专利9项。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中科院重点研究等项目10项。EEE交通电气化委员会（TEC）北京Chapter执行委员，IEEE电子封装学会（EPS）北京Chapter委员，机械工程学会材料分会青年工作委员会委员 高密度电子封装工艺及关键封装材料。主持多向国家级、省部级科研项目，发表论文110余篇，其中以第一或唯一通讯作者在IEEE T Power Electronics等国际TOP期刊上发表SCI论文近50篇, 曾获IEEE CPMT Young Award、天津市中青年科技创新领军人才和多次国际会议论文奖，已发表SCI收录论文的SCI他引用近400次，H因子18；公开中国/美国发明专利36项（已授权16项），并获中国电源学会技术发明奖一等奖（第一完成人）。

电子与信息工程学院教授，担任CASA国际分委会封装/模块工作组副组长，中国电源学会元器件专委会副主任委员，I中国科学院电工研究所 研究员，2014入选中组部“青年千人计划”，主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究。发表EI检索论文近百篇，包括17篇SCI检索论文，并申请专利9项。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中科院重点研究等项目10项。EEE交通电气化委员会（TEC）北京Chapter执行委员，IEEE电子封装学会（EPS）北京Chapter委员，机械工程学会材料分会青年工作委员会委员 高密度电子封装工艺及关键封装材料。主持多向国家级、省部级科研项目，发表论文110余篇，其中以第一或唯一通讯作者在IEEE T Power Electronics等国际TOP期刊上发表SCI论文近50篇, 曾获IEEE CPMT Young Award、天津市中青年科技创新领军人才和多次国际会议论文奖，已发表SCI收录论文的SCI他引用近400次，H因子18；公开中国/美国发明专利36项（已授权16项），并获中国电源学会技术发明奖一等奖（第一完成人）。

清华大学教授，工学博士。2021年4月23日，入选中国工程院2021年院士增选有效候选人名单。主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。共发表各类论文300余篇，其中有国际著名杂志论文超过90篇，国际会议论文超过近115篇。获得40多项专利，包括18项日本专利，一项欧洲专利，一项美国专利，国内专利若干。

南京大学教授，博士生导师，国家重点研发计划项目首席科学家。分别于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学开展1年博士后研究工作后，于2004年受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院。 主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，是国际上富In氮化物半导体研究的开拓者；在InN薄膜生长、电学特性、和p型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录，其工作直接导致了InN 0.7电子伏特窄禁带特性的重大发现，大大拓展了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，多次获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：研制出高击穿电压GaN肖特基二极管和HEMT器件、高辐照耐量x射线探测器和紫外单光子探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；研制出现有暗电流密度最低的AlGaN基日盲深紫外探测器和国内第一支极深紫外EUV探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度紫外探测器的产业化；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件表征分析方法。

刘志强,博士,副研究员,硕士生导师.近年来,以GaN LED量子效率提升技术为主线,围绕GaN材料物性分析、高质量外延及结构设计、新型器件研发、低维发光器件等方向展开研究.近五年共发表SCI论文31篇,目前主持“十二五”国家863计划重大项目1项.

博士，中山大学电子与信息工程学院教授、博士生导师，中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心主任。2001年在国际著名异质材料外延技术先端研发机构--日本名古屋工业大学从事氮化镓(GaN)材料和器件研究工作，期间被聘为日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员。2007年归国，以“百人计划”教授身份加盟中山大学，负责组建国内首家GaN功率电子材料与器件研发平台，开展关键技术的研究，同时积极联合国内龙头企业，促进产学研结合，整合产业链条，推动大尺寸Si衬底GaN功率电子材料与器件产业技术的开发。先后承担国家科技部、国家自然基金委、广东省科技计划项目多项。2014年末该研发平台被广东省科技厅认证为广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研发中心。2017年刘扬教授入选国际功率半导体业界权威会议组织IEEE ISPSD 技术委员会（International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs，Technical Program Committee (TPC) Member），成为中国大陆GaN领域进入该学术组织的第一人。

刘斌，教授，博导，本科毕业于中山大学理工学院，获物理学与计算机科学双学位；2008年毕业于南京大学物理系微电子与固体电子学专业,获博士学位，其博士论文获得全国优秀博士论文提名奖。在江苏省光电信息功能材料重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心展开III族氮化物异质结构和光电子器件研究。2010年获得霍英东教育基金会青年基金资助，2012年获得教育部新世纪优秀人才计划支持，2014年获得国家自然科学基金委优秀青年基金，2016年获教育部青年长江学者。并作为学术团队成员获得教育部高校自然科学和技术发明一等奖共2项。曾先后在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家研究中心、瑞典皇家工学院(KTH)、香港中文大学访问研究。主持或完成国家重点研发计划--战略性先进电子材料重点专项，自然科学基金项目3项、省部级项目5项，参加国家重大研究“973”、“863”计划项目多项。截止目前，已在Advanced Functional Materials, Nano Letters, Applied Physics Letters,IEEE Electron Device Letters & Photonics Technology Letters等重要学术期刊上发表学术论文150余篇，其中第一/通讯作者40余篇，申请/授权中国或美国发明专利40余项。

中国科学技术大学微电子学院执行院长，从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。IEEE高级会员，中国电子学会青年科学家俱乐部会员，第三代半导体青年创新促进委员会会员，全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻工作组委员，IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人，InfMat期刊青年编委。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院等资助科研项目20余项。2013年获得国家自然科学基金优秀青年科学基金项目资助，2017年作为负责人获得中科院创新交叉团队项目资助，2019年获得国家杰出青年科学基金项目资助。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，5篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。获得/申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。获得2013年国家技术发明奖二等奖（排名6/6）、2016年国家自然科学二等奖（排名4/5）。 主要研究方向为宽禁带半导体器件、功率电子器件/光电探测器、DRAM存储器/阻变存储器。