博士，中山大学电子与信息工程学院教授、博士生导师，中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心主任。2001年在国际著名异质材料外延技术先端研发机构--日本名古屋工业大学从事氮化镓(GaN)材料和器件研究工作，期间被聘为日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员。2007年归国，以“百人计划”教授身份加盟中山大学，负责组建国内首家GaN功率电子材料与器件研发平台，开展关键技术的研究，同时积极联合国内龙头企业，促进产学研结合，整合产业链条，推动大尺寸Si衬底GaN功率电子材料与器件产业技术的开发。先后承担国家科技部、国家自然基金委、广东省科技计划项目多项。2014年末该研发平台被广东省科技厅认证为广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研发中心。2017年刘扬教授入选国际功率半导体业界权威会议组织IEEE ISPSD 技术委员会（International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs，Technical Program Committee (TPC) Member），成为中国大陆GaN领域进入该学术组织的第一人。