南京大学教授，博士生导师，国家重点研发计划项目首席科学家。分别于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学开展1年博士后研究工作后，于2004年受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院。 主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，是国际上富In氮化物半导体研究的开拓者；在InN薄膜生长、电学特性、和p型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录，其工作直接导致了InN 0.7电子伏特窄禁带特性的重大发现，大大拓展了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，多次获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：研制出高击穿电压GaN肖特基二极管和HEMT器件、高辐照耐量x射线探测器和紫外单光子探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；研制出现有暗电流密度最低的AlGaN基日盲深紫外探测器和国内第一支极深紫外EUV探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度紫外探测器的产业化；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件表征分析方法。