龙世兵

半导体技术

中国科学院微电子研究所

基本信息

中国科学技术大学微电子学院执行院长，从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。IEEE高级会员，中国电子学会青年科学家俱乐部会员，第三代半导体青年创新促进委员会会员，全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻工作组委员，IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人，InfMat期刊青年编委。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院等资助科研项目20余项。2013年获得国家自然科学基金优秀青年科学基金项目资助，2017年作为负责人获得中科院创新交叉团队项目资助，2019年获得国家杰出青年科学基金项目资助。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，5篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。获得/申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。获得2013年国家技术发明奖二等奖（排名6/6）、2016年国家自然科学二等奖（排名4/5）。主要研究方向为宽禁带半导体器件、功率电子器件/光电探测器、DRAM存储器/阻变存储器。

科研成果

总发文数(篇)
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成果分析

期刊发文数占比
重点学科匹配度: 论文历年发表情况; 合作发文情况; 文章被引情况

科研论文更多

阻变存储器研究进展
- 摘要：
  阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存
- 作者：
  刘明,龙世兵
- 刊名：
  中国科学(物理学、力学、天文学)
- 在线出版时间：
ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究
- 摘要：
  详细研究了ZEP520在SI衬底上的对比度、灵敏度、分辨率,并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响;同时还初步研究了
- 作者：
  李志刚,龙世兵,陈宝钦
- 刊名：
  微细加工技术
- 在线出版时间：
Electrical transport properties in self-assembled erbium disilicide nanowires
- 摘要：
  Long erbium disilicide nanowires were fabricated through laser abla
- 作者：
  Zhigang Li;Xinwei Zhao;世兵龙;Lihui Zhang;明刘
- 刊名：
- 在线出版时间：
  2007
Modulating the filament rupture degree of threshold switching device for self-selective and low-current nonvolatile memory application
- 摘要：
  Resistive switching devices have tremendous potential for memory, l
- 作者：
  Xiaolong Zhao;Jiebin Niu;Yang Yang;湘衡肖;Rui Chen;Zuheng Wu;Ying Zhang;杭炳吕;世兵龙;淇刘;昌忠蒋;Ming Liu
- 刊名：
  Nanotechnology
- 在线出版时间：
  2020-1-17
A metal/Al₂O₃/ZrO₂/SiO₂/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application
- 摘要：
  In this paper, we report a metal/Al₂O₃/ZrO
- 作者：
  景双刘;Qin Wang;世兵龙;Manhong Zhang;明刘
- 刊名：
  Semiconductor Science and Technology
- 在线出版时间：
  2010
CMOS compatible nonvolatile memory devices based on SiO₂/Cu/ SiO₂ multilayer films
- 摘要：
  We systematically investigate the resistive switching characteristi
- 作者：
  Yan Wang;淇刘;Hang Bing Lu;世兵龙;Sen Zhang;Ying Tao Li;Wen Tai Lian;建红杨;明刘
- 刊名：
  Chinese Physics Letters
- 在线出版时间：
  2011-7

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阻变存储器研究进展

ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究

Electrical transport properties in self-assembled erbium disilicide nanowires

Modulating the filament rupture degree of threshold switching device for self-selective and low-current nonvolatile memory application

A metal/Al₂O₃/ZrO₂/SiO₂/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application

CMOS compatible nonvolatile memory devices based on SiO₂/Cu/ SiO₂ multilayer films

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