热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,RAMAN等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GAN材料缺陷、LED内量子
刘志强
半导体技术
通过实验和理论计算,分析了INP/SI键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围.分析结果表明,由剪切
固体电子学研究与进展
从几何和物理光学角度分析了影响GAN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用MONTE-CARLO光线追踪的方法,对GAN基LED的
电子器件
通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GAN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透
陈宇,刘志强
半导体学报
从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论INP/SI键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切
半导体光电
Four saponins were isolated from the l
明全 郭;Lei Zhang;志强 刘
Analytical Sciences
2009-6