科创中国

先后参与实施国家发改委超硬材料及制品区域特色高技术产业链、国家级企业技术中心创新能力建设、河南省重大科技专项、河南省工业结构调整和高技术产业化等省部级以上科研项目20多项，获得河南省科技成果10项，河南省科技进步奖5项；许昌市科技进步奖6项；获得国家授权专利40余项，其中发明专利4项；发表论文9篇，连续多年被评为公司先进工作者及先进个人。 2015年1月，参与开发的“地质勘探金刚石聚晶复合片关键技术研发及产业化”获得河南省科技进步二等奖； 2016年3月，参与开发的“金刚石磁控溅射离子镀钛关键技术研发及产业化”“ 金属和电子器件加工用PCD复合片关键技术及产业化”获得河南省科技进步三等奖； 2016年11月，参与开发的“雾化预合金粉制备技术升级及产业化”项目获得河南省科技进步三等奖； 2020年9月，参与开发的“大尺寸蓝宝石衬底片切割专用金刚石线锯项目”通过河南省科技成果评价，产品技术达国内领先水平。 2021年4月，参与开发的“金刚石线锯关键技术与装备的研发及应用”项目通过河南省科技成果评价，产品技术达国际先进水平。 目前承担的“大型智能锻造六面顶压机装备关键技术及应用”及“增材制造用复合金刚石粉体制粉及其工艺性能评价”项目即将进行项目结题。

现任天津大学材料科学与工程学院教授，博士生导师，兼任全国磨料磨具标准化技术委员会委员及超硬材料分委会副主任委员、曾任中国复合材料学会理事、中国材料研究学会超硬材料及制品专业委员会委员，天津硅酸盐学会理事、中国超硬材料协会技术专家、全国磨料磨具专家委员会委员、《金刚石与磨料磨具工程》、《耐火材料》、《超硬材料工程》、《轴承》等期刊编委等职。 主要从事先进陶瓷材料、超硬材料、磨料磨具、难加工材料高效磨削等方面的教学与科研工作。主持完成省、部、市级科研项目十多项（其中省级重大科技攻关计划项目和重点科技攻关计划项目3项），参加完成国家863项目和国家攻关项目2项，国家重大科技专项1项。获得国家发明专利11项，发表论文60余篇，其中多数被SCI、EI检索。主编参编《陶瓷磨具制造》、《工程陶瓷材料的加工技术及其应用》等六部教材。所完成的项目成果水平分别达到国际先进水平和国内领先水平，多数研究成果已获得实际应用，产生了显著的社会经济效益。已获得省级科技进步一等奖1项，二等奖1项，厅局级科技进步二等奖3项。其所研制的陶瓷结合剂CBN和金刚石磨具制备技术及产品已分别在汽车及航空发动机部件、传动轴、冰箱空调压缩机部件、轴承、数控刀具、模具、机床导轨等许多加工领域获得了很好的应用，产生了巨大的济社会经效益。在先进陶瓷材料、超硬材料、磨料磨具等制备技术和难加工材料高效磨削技术等方面有特长。

中科院半导体研究所副所长，男，汉族，1982年9月出生，籍贯河北保定。2005年毕业于清华大学获学士学位，2011年毕业于美国佐治亚理工学院获博士学位。长期从事第三代半导体材料与器件研究，先后担任第三代半导体材料领域“863”和重点研发计划项目负责人。在半导体紫外发光芯片、电力电子器件和微波射频器件领域取得了一系列研究成果。实现波长275nm以下深紫外光半导体激光器光泵浦激射，实现基于国产GaN HEMT器件和国产驱动芯片的650V电压等级2kW集成封装半桥模块。研制出国内第一只GaN HBT射频器件，电流增益大于100。曾担任“十二五”“863计划”新材料领域“第三代半导体材料”重大项目总体专家组成员。现担任“十四五”国家重点研发计划新型显示与战略性电子材料重点专项指南编制专家。

个人简介 张玉明，男，汉族，二级教授，1965年5月生，陕西白水人，2002年6月加入中国国民党革命委员会，1992年4月参加工作。现任西安电子科技大学微电子学院院长，国防科技重点学科“宽带隙半导体技术”重点实验室主任，全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师。 1984.9－1989.7在清华大学读本科，获学士学位。 1989.8－1992.3在西安电子科技大学攻读硕士学位。获硕士学位 1984.9－1998.6在西安交通大学攻读博士学位。获博士学位 1992.4－至今在西安电子科技大学从事微电子学领域教学和科研工作。1994年晋升为讲师，1998年破格晋升为副教授，2001年破格晋升为教授，2002年被评为博士导师 2005.7－2014.6西安电子科技大学微电子学院副院长 1999.8－2000.9美国Rutgers-新泽西洲立大学做博士后 2004.5.1-30陕西社会主义学院学习 2005.6－至今民革西安电子科技大学支部主委 2007－至今教育部“宽禁带半导体材料与器件”重点实验室副主任 2007.7－2012.7民革陕西省第十届省委会委员，民革陕西省委会科教委员会副主任 2008－至今国防科技重点学科“宽带隙半导体技术”重点实验室主任 2008.1－2012.12政协陕西省第十届委员会委员，科技委委员 2011.7.1-27陕西社会主义学院学习 20012.8－至今民革陕西省第十一届省委会委员，民革陕西省委会科教委员会副主任 2013.1－2017.12政协陕西省第十一届委员会委员、常委、经济委员会副主任 2014.7－至今西安电子科技大学微电子学院院长， 2014.7－至今评为二级教授 2017.12—至今民革第十三届中央委员， 2018.1－至今政协陕西省第十二届委员会委员、常委、经济委员会副主任 张玉明教授长期从事本学科教学、科研和管理工作，为学科建设作出了重要贡献。微电子学与国体电子学科近年来在队伍建设、人才培养和科学研究方面蓬勃发展，学科排名全国前茅，在国内有非常重要的影响度，微电子学院评为首批示范性微电子学院，是国内微电子基地的重要承担单位。发表论文210余篇，其中已有150余篇被三大索引检索，已获授权发明专利50项，美国专利5项。获国家奖一项,省部级奖六项，厅校级一等奖三项，二等奖两项。2001年获陕西省优秀留学回国人员称号，获第四届“陕西青年科技奖”等。作为平台建设的主要负责人，申报成功国家基地3个，省部基地4个

张进成1976年生,教授,博士生导师,在西安电子科技大学分别于1998年、2001年和2004年获得微电子学学士、硕士和博士学位,现任宽带隙半导体技术国家重点学科实验室副主任.发表学术论文100余篇,授权发明专利30余项.目前研究领域为宽禁带半导体材料与器件

2006年在中科院半导体研究所获得微电子学与固体电子学博士学位。随后在半导体所参加工作，负责大功率LED器件工艺线和新型器件工艺开发工作。2007年加入中国科学院半导体照明研发中心，现任中心总工程师，主要从事新型结构大功率LED研究工作，主要包括氮化镓基发光二极管器件物理研究及结构设计，垂直结构LED研究，氧化锌、石墨烯等新型透明电极材料研究等领域。 教育背景2003-09--2006-07中国科学院半导体研究所博士 学历 学位 工作经历 工作简历2013-01~现在,中国科学院半导体研究所,研究员 2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所,副研 2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所,助研 2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所,博士 社会兼职2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

863项目“基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及应用示范”项目负责人及首席专家；主持总装备部项目3项，国家电网公司科技项目6项；主持建成国内第一条宽禁带器件生产线；主持研制国内首批3.3kV/50A SiC二极管以及3.3kV/600A混合模块；发表论文36篇，其中SCI6篇，授权发明专利8项，翻译专著1部。

清华大学电子工程系学士学位，中科院半导体所博士，2015-2016年度法国巴黎第十一大学访问学者。2009年加入中国科学院半导体照明研发中心，长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UV LED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上 MOCVD 外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得Semiconductor Today、Compound Semiconductors 等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。

徐现刚(1964-),男,山东济南人,教授,博士生导师,主要从事半导体光电材料及器件和晶体生长等方面的研究. 材料科学与工程，材料物理，低维无机非金属材料 1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位，师从于蒋民华院士。2000年留美回国-至今，获教育部第一批长江计划的特聘教授，2000年度国家杰出青年科学基金获得者

中科院苏州纳米所研究员、副所长，博士生导师，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者。徐科博士长期围绕高质量氮化物半导体材料生长及相关生长装备和测试分析仪器的研究与研发。对氮化物半导体的MOCVD和MBE生长机理、氮化物的极性选择、极性控制有系统深入研究，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响；近年来重点开展极低位错密度GaN和AlN单晶材料的氢化物气相外延(HVPE)生长研究，完成2～4英寸氮化镓单晶衬底技术开发，并实现量产；开展了纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制，研究了氮化物材料中单个缺陷并探索氮化物低维结构的新奇物性。发表SCI论文80余篇，申请专利50项，国际会议特邀报告20余次。曾荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖，2012年荣获全国产学研合作创新成果奖。现任科技部新材料领域纳米主题专家，国家纳米技术标准委员会委员，中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员，光学学会光学材料委员会委员。