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  • SiC晶体生长设备考察

    • 摘要：

      根据晶体所发展规划,鉴于SiC作为第3代半导体器件的重要材料,以及与台湾富士康公司合作的第2批捐款投资方向的考虑,晶体材料研究所拟决定研究和

    • 作者：

      徐现刚

    • 刊名：

      国际学术动态

    • 在线出版时间：

  • 应大力发展SiC半导体器件

    • 摘要：

      第lO届SiC及其相关材料国际会议于2003年10月5~10日在法国里昂国际会议中心召开(http://ieserm2003.inpg.fr

    • 作者：

      徐现刚

    • 刊名：

      国际学术动态

    • 在线出版时间：

  • 大直径6H-SIC单晶的生长

    • 摘要：

      SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高

    • 作者：

      蒋民华,徐现刚

    • 刊名：

      人工晶体学报

    • 在线出版时间：

  • 基于INP衬底的GAASSB/INP异质结晶体管

    • 摘要：

      采用金属有机化学气相沉积生长了INP/GAAS0.5SB0.5/INP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.

    • 作者：

      徐现刚

    • 刊名：

      半导体学报

    • 在线出版时间：

  • GAASSB/INP异质结晶体三极管

    • 摘要：

    • 作者：

      徐现刚

    • 刊名：

      固体电子学研究与进展

    • 在线出版时间：

  • INGAAS/INP异质结界面层的应变研究

    • 摘要：

      采用液态的叔丁基砷(TERTIARYBULARSINE,TBAS)和叔丁基磷(TERTIARYBULPHOSP HINE,TBP )为源材料

    • 作者：

      徐现刚,郝霄鹏

    • 刊名：

      中国科学(A辑)

    • 在线出版时间：