中科院苏州纳米所研究员、副所长，博士生导师，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者。徐科博士长期围绕高质量氮化物半导体材料生长及相关生长装备和测试分析仪器的研究与研发。对氮化物半导体的MOCVD和MBE生长机理、氮化物的极性选择、极性控制有系统深入研究，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响；近年来重点开展极低位错密度GaN和AlN单晶材料的氢化物气相外延(HVPE)生长研究，完成2～4英寸氮化镓单晶衬底技术开发，并实现量产；开展了纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制，研究了氮化物材料中单个缺陷并探索氮化物低维结构的新奇物性。发表SCI论文80余篇，申请专利50项，国际会议特邀报告20余次。曾荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖，2012年荣获全国产学研合作创新成果奖。现任科技部新材料领域纳米主题专家，国家纳米技术标准委员会委员，中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员，光学学会光学材料委员会委员。