张进成

微电子学

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

基本信息

张进成1976年生,教授,博士生导师,在西安电子科技大学分别于1998年、2001年和2004年获得微电子学学士、硕士和博士学位,现任宽带隙半导体技术国家重点学科实验室副主任.发表学术论文100余篇,授权发明专利30余项.目前研究领域为宽禁带半导体材料与器件

科研成果

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期刊发文数占比
重点学科匹配度: 论文历年发表情况; 合作发文情况; 文章被引情况

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背势垒层结构对ALGAN/GAN双异质结载流子分布特性的影响
- 摘要：
  首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了ALGAN/GAN双异质结构中ALGAN背势垒层AL组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低
- 作者：
  张进成
- 刊名：
  物理学报
- 在线出版时间：
Study of AlGaN/GaN HEMT high temperature anneal in N 2
- 摘要：
  Annealing experiments were carried out at 200-600 °C for l min and 5 m
- 作者：
  Wang Chong;Zhang Jin-Feng;Hao Yue;Feng Qian;Yang Yan;Zhang Jin-Cheng
- 刊名：
  Xi an Dianzi Keji Daxue Xuebao Journal of Xidian University
- 在线出版时间：
  2006
Study of surface passivation with different a-SiN x :H films effect on AlGaN/GaN HEMTs
- 摘要：
  The effects of surface passivation with different a-SiN x
- 作者：
  Yue Yuan-Zheng;Hao Yue;Zhang Jin-Cheng;Feng Qian
- 刊名：
  Icsict 2006 2006 8th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology Proceedings
- 在线出版时间：
  2007
GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al 2O 3 dielectric grown by atomic layer deposition
- 摘要：
  We report a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility trans
- 作者：
  Yue Yuan-Zheng;Hao Yue;Feng Qian;Zhang Jin-Cheng;Ma Xiao-Hua;Ni Jin-Yu
- 刊名：
  Chinese Physics Letters
- 在线出版时间：
  2007
GaN MOS-HEMT using ultrathin Al2O3 dielectric with fmax of 30.8 GHz
- 摘要：
  We report on a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility tr
- 作者：
  Hao Yue;Yue Yuanzheng;Feng Qian;Zhang Jincheng;Ma Xiaohua;Ni Jinyu
- 刊名：
  Pan Tao Ti Hsueh Pao Chinese Journal of Semiconductors
- 在线出版时间：
  2007
A study on Al2O3 passivation in GaN MOS-HEMT by pulsed stress
- 摘要：
  This paper studies systematically the drain current collapse in AlGaN/
- 作者：
  Yue Yuan-Zheng;Hao Yue;Zhang Jin-Cheng;Feng Qian;Ni Jin-Yu;Ma Xiao-Hua
- 刊名：
  Chinese Physics B
- 在线出版时间：
  2008

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Study of AlGaN/GaN HEMT high temperature anneal in N 2

Study of surface passivation with different a-SiN x :H films effect on AlGaN/GaN HEMTs

GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al 2O 3 dielectric grown by atomic layer deposition

GaN MOS-HEMT using ultrathin Al2O3 dielectric with fmax of 30.8 GHz

A study on Al2O3 passivation in GaN MOS-HEMT by pulsed stress

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