中科院半导体研究所副所长，男，汉族，1982年9月出生，籍贯河北保定。2005年毕业于清华大学获学士学位，2011年毕业于美国佐治亚理工学院获博士学位。长期从事第三代半导体材料与器件研究，先后担任第三代半导体材料领域“863”和重点研发计划项目负责人。在半导体紫外发光芯片、电力电子器件和微波射频器件领域取得了一系列研究成果。实现波长275nm以下深紫外光半导体激光器光泵浦激射，实现基于国产GaN HEMT器件和国产驱动芯片的650V电压等级2kW集成封装半桥模块。研制出国内第一只GaN HBT射频器件，电流增益大于100。曾担任“十二五”“863计划”新材料领域“第三代半导体材料”重大项目总体专家组成员。现担任“十四五”国家重点研发计划新型显示与战略性电子材料重点专项指南编制专家。