科创中国

吴玲，女，研究员，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员，国家产业基础专家委员会委员，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长 自2003年起任北京半导体照明科技促进中心主任、科技部半导体照明工程项目管理办公室主任，科技部第三代半导体项目管理办公室主任，2010年当选国际半导体照明联盟第一届主席。2016年担任国家十三五重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项专家组副组长、第三代半导体材料及半导体照明方向专家组组长。2021年担任国家“十四五”材料领域重点专项“新型显示与战略性电子材料”专家组副组长，2021年指南编制专家组专家， 国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”编制专家组专家，第三代半导体材料方向牵头专家。 2017年荣获“全球半导体照明突出贡献奖”，2018年荣获“第一届师昌绪新材料技术奖”。

2007年7月在中科院半导体研究所获工学博士学位，随后在半导体所照明研发中心工作，主要从事氮化物材料外延生长、结构设计以及相关光电器件研究，先后主持和参与了国家自然基金、863项目和院属项目等多项。近几年来，所开展的非极性GaN外延、LED结构设计和光子晶体等研究工作先后5次被半导体著名杂志CompoundSemiconductor和SemiconductorToday作为研究亮点报道，在相关领域发表论文50余篇，申请专利20多项。

中国农业科学院都市农业研究所副所长、法人，二级研究员、博士生导师。农业部“设施农业节能与废弃物处理重点实验室”主任、“中国农业科学院学术委员会”委员、“设施植物环境工程创新团队”首席科学家、国家智慧植物工厂创新联盟主席等。先后主持国家863、自然基金等项目40余项，发表论文187篇（SCI/EI收录32篇），出版《植物工厂概论》、《植物工厂系统与实践》等著作7部，获国家科技进步二等奖2项（第1），中国专利金奖1项（第1），省部级奖励10项，授权专利100余件。并荣获农业部有突出贡献中青年专家、国务院政府特殊津贴专家、中国优秀青年科技创新奖、全国优秀农业科技工作者、全国农业科研杰出人才等荣誉。

北京大学物理学院教授，教育部长江特聘教授，国家杰出青年基金获得者，万人计划中青年领军人才，现任北京大学东莞光电研究院院长，人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任，北京大学人事部副部长，物理学院院长助理。分别于1996和2002年在吉林大学电子科学与技术学院获得学士和博士学位，2002-2008年在日本千叶大学和日本科学技术振兴机构进行研究工作，2008年由百人计划加入到北京大学物理学院工作。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，发表SCI论文160余篇，SCI引用逾2500次，在国内外学术会议上做邀请报告30余次，担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。

博士，研究员，博导。长期从事半导体材料和器件的研究工作，主持多项有关氮化镓材料和器件的国家项目。“九五”期间在国内率先研制成功压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料。“十五”期间，作为课题负责人在GaN基高频大功率电子材料领域取得突破性重大进展，在蓝宝石和SiC衬底上研制出具有自主知识产权、性能为国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN HEMT 结构材料，所主持的“高性能氮化镓外延材料”项目已通过中科院组织的专家鉴定[中科院鉴字（2006）第020号]，鉴定结果认为氮化镓外延材料为国内领先、达到国际先进水平，二维电子气结构材料性能为国际领先水平。用所研制的材料与中电集团十三所合作研制出我国第一支氮化物高温HEMT器件和第一支国产X波段微波功率器件，与中电集团55 所合作研制出8GHz 下连续波输出功率超过110W的微波功率器件和国内第一块X波段GaN基MMIC。从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文九十余篇，申请国家发明专利二十余项（已授权11项），2006年获中科院国防预研先进个人荣誉称号。目前负责国家863“半导体照明工程”项目“MOCVD生长等关键设备”课题。

王军喜,博士,研究员,博士生导师.中过科学院半导体照明研发中心副主任.主持参与多项国家863计划、973计划项目.使用国产NH3-MBE生长设备,获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片;与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国首只氮化物高温HEMT器件;负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备,晶体质量位于国内领先水平.

中山大学物理科学与工程技术学院教授，博士生导师。2001年3月于日本国立名古屋工业大学取得工学博士学位。博士期间主要从事MOCVD生长与相关光电子器件的制作技术方面的研究。2001年4月至2004年4月，就职于（株）富士通量子器件公司（日本甲府），主要从事于10Gp/s，40Gp/s超高速光通讯器件的研发工作。2004年5月至今，受聘于中山大学光电材料与技术国家重点实验室，从事光电化合物半导体材料制作及相关元器件机理方面的研究，教学工作。主要研究方向：光电化合物半导体材料与器件制备技术，包括：应用于10/40Gbps光通讯系统的超高速半导体光电探测器件研究；应用于THz发射和探测的新型固态纳电子器件研究；应用于固态照明的大功率白光LED封装及其芯片制备技术研究；III-V族化合物半导体材料MOCVD外延生长技术研究等。

田朋飞，复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心副研究员。华中科技大学学士（2007），北京大学硕士（2010），英国Strathclyde大学博士（2014）。自2007年至今从事micro-LED显示、LED/激光照明、可见光通信、水下光通信等方向的研究，在ACS Applied Materials & Interfaces、ACS Photonics、Advanced Science、Progress in Quantum Electronics、Optics Express、Applied Physics Letters等期刊发表90余篇期刊和会议论文，其中以第一和通信作者发表SCI论文21篇，包括1篇ESI高被引论文，2篇邀请SCI论文，6次邀请报告。申请/获得发明专利10余项。研究成果被Semiconductor Today、Laser Focus World、国家自然科学基金委等国内外媒体的报道，被诺贝尔奖得主评价首次系统研究了micro-LED的尺寸效应。 主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、上海市青年科技英才扬帆计划、复旦大学“卓越2025”人才培育计划、TCL华星光电产学研项目等，参与国家重点研发计划、广东省重大科技专项、英国工程与自然研究理事会（EPSRC）项目、国家973计划、863计划等项目。担任第三代半导体产业技术创新战略联盟micro-LED委员会第一届委员、联盟micro-LED技术路线图（2020-2035年）统稿和执笔专家，中国国际半导体照明论坛SSLChina会议组织委员会委员。获2019年第三代半导体联盟年度突出贡献奖、2019年英国物理学会出版社杰出审稿人奖。

1995年获浙江大学电力电子技术学士，1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士，1999-2002年任英国剑桥大学博士后，2008年获美国Rugters大学终身教职；2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导，2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

1963年7月出生于江苏省扬州市 1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位 1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位 1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR)，获博士学位 2000年晋升教授 2003年获国家杰出青年科学基金 2004年聘为教育部长江特聘教授 曾任日本东京大学产业技术研究所 (IIS) 客座研究员、东京大学先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、 日本千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所(AIST)访问教授