盛况

电力电子技术

浙江大学电气工程学院

基本信息

1995年获浙江大学电力电子技术学士，1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士，1999-2002年任英国剑桥大学博士后，2008年获美国Rugters大学终身教职；2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导，2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

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碳化硅电力电子器件在电网中的应用展望
- 摘要：
  碳化硅电力电子器件具有高压、高温和高效率等优势,是智能电网中理想的电力电子器件.介绍了近年来碳化硅材料及器件在研发和产业化方面的最新发展.随
- 作者：
  盛况
- 刊名：
  南方电网技术
- 在线出版时间：
中低压碳化硅材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范
- 摘要：
  碳化硅(SiC)电力电子器件的高压、高温和高频率特性,使其成为理想的电动汽车充电设备器件,将显著提升电动汽车充电设备的效率和功率密度.开展中
- 作者：
  盛况
- 刊名：
  浙江大学学报(理学版)
- 在线出版时间：
碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望
- 摘要：
  碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件.该文
- 作者：
  盛况
- 刊名：
  中国电机工程学报
- 在线出版时间：
A study of the CoolMOS integral diode: Analysis and optimisation
- 摘要：
  This paper examines the internal carrier dynamics during reverse recov
- 作者：
  Ng R.;Udrea F.;Sheng K.;Amaratunga G. A.J.
- 刊名：
  Proceedings of the International Semiconductor Conference CAS
- 在线出版时间：
  2001
1836 V, 4.7 mΩ-cm²high power 4H-SiC bipolar junction transistor
- 摘要：
  This paper reports recent progress in the development of high power 4H
- 作者：
  Zhang Jianhui;Alexandrov Petre;Wu Jian;Sheng Kuang;Zhao Jian H.;Burke Terry
- 刊名：
  Materials Science Forum
- 在线出版时间：
  2006
Reliability issues of SiC MOSFETs: A technology for high-temperature environments
- 摘要：
  The wide-bandgap nature of silicon carbide (SiC) makes it an excellent
- 作者：
  Yu Liangchun C.;Dunne Greg T.;Matocha Kevin S.;Cheung Kin P.;Suehle John S.;Sheng Kuang
- 刊名：
  IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
- 在线出版时间：
  2010

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Reliability issues of SiC MOSFETs: A technology for high-temperature environments

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