博士，研究员，博导。长期从事半导体材料和器件的研究工作，主持多项有关氮化镓材料和器件的国家项目。“九五”期间在国内率先研制成功压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料。“十五”期间，作为课题负责人在GaN基高频大功率电子材料领域取得突破性重大进展，在蓝宝石和SiC衬底上研制出具有自主知识产权、性能为国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN HEMT 结构材料，所主持的“高性能氮化镓外延材料”项目已通过中科院组织的专家鉴定[中科院鉴字（2006）第020号]，鉴定结果认为氮化镓外延材料为国内领先、达到国际先进水平，二维电子气结构材料性能为国际领先水平。用所研制的材料与中电集团十三所合作研制出我国第一支氮化物高温HEMT器件和第一支国产X波段微波功率器件，与中电集团55 所合作研制出8GHz 下连续波输出功率超过110W的微波功率器件和国内第一块X波段GaN基MMIC。从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文九十余篇，申请国家发明专利二十余项（已授权11项），2006年获中科院国防预研先进个人荣誉称号。目前负责国家863“半导体照明工程”项目“MOCVD生长等关键设备”课题。