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具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法

发布时间: 2023-10-31

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,微电子技术
成果介绍
本发明公开了一种具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法，主要包括GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极，以及位于源漏电极之间的复合栅结构，其复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。此外钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。
成果亮点
本发明通过将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物(TCO)组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。
团队介绍
宁波市智能制造产业研究院是受浙江省省委省政府委托，由宁波市政府与智能制造领域专家团队共同筹建的具有集团性质的机器人及智能制造企业集群。宁研院总投资3亿元，致力于搭建技术研究与成果产业化的桥梁，以打造“浙江制造”为核心目标，积极创造机器人名牌产品，业务覆盖智能制造核心部件、机器人本体、产业应用等多个领域，通过3-5年时间成为宁波市智能经济发展的核心支撑平台。
成果资料
产业化落地方案
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成果综合评价报告

评价单位：- (-) 评价时间：2023-11-09

干宁

宁波大学

教授

综合评价

本发明通过将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物(TCO)组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。综上所述，该技术的完整的方案、自适应性和可靠性的优势、与市场需求的契合程度以及应用潜力的市场背景，显示出该技术的潜力和吸引力。然而，在资本化和市场推广过程中，需注意与合作伙伴建立关系、确保产品的稳定性和兼容性、有效的市场营销策略等方面的挑战。通过充分利用相关的数据和趋势分析，可以为该技术的进一步发展提供指导和支持。
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