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您所在的位置: 成果库 具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法

具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法

成果类型： 发明专利
发布时间： 2023-10-31 15:18:28
科技成果产业化落地方案
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成果发布人 2023-10-31 15:18:28 查看详情