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  • DC/DC电源模块可靠性的研究

    • 摘要：

      对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度

    • 作者：

      谢雪松,张小玲,吕长志

    • 刊名：

      北京工业大学学报

    • 在线出版时间：

  • 国产晶体管的长期贮存可靠性

    • 摘要：

      测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放

    • 作者：

      谢雪松,张小玲,吕长志

    • 刊名：

      电子产品可靠性与环境试验

    • 在线出版时间：

  • 三种纵向结构的ALGAN/GAN HFET性能比较

    • 摘要：

      对ALGAN/GAN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低

    • 作者：

      谢雪松,张小玲,吕长志,冯士维

    • 刊名：

      半导体学报

    • 在线出版时间：

  • n-GaN ohmic contact with Cr/Au/Ni/Au

    • 摘要：

      To obtain ohmic contact to n-GaN with a low contact resistivity, Cr

    • 作者：

      Xue Song Xie;晓凌 张;长志 吕;励 吴;颖 袁;Zhi Guo Li;Chun Hai Cao

    • 刊名：

      Beijing Gongye Daxue Xuebao / Journal of Beijing University of Technology

    • 在线出版时间：

      2005-9

  • New method based on high-current density ohmic contact degradation

    • 摘要：

      Ohmic contact is evaluated under the high-current density, the trad

    • 作者：

      士维 冯;Yue Zong Zhang;Hai Jie Meng;春生 郭;Guang Chen Zhang;长志 吕

    • 刊名：

      Beijing Gongye Daxue Xuebao / Journal of Beijing University of Technology

    • 在线出版时间：

      2008-12

  • Simulation of the temperature injection PHEMT

    • 摘要：

      A new microwave device model is brought out and simulated, which is

    • 作者：

      SongDi;长志 吕;Xiao Dan Cai

    • 刊名：

    • 在线出版时间：

      2004