俞跃辉

半导体技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心

基本信息

俞跃辉(1964-),男,上海人,博士,研究员,长期从事离子注入合成SOI的结构表征、宏观性能与微观结构的关系研究,近年研究领域主要集中在高介电常数栅介质及应用、SOI高压器件及功率集成等方面.教育背景1985-09--1989-11上海微系统与信息技术研究所博士学位 1980-07--1985-07吉林大学电子工程系学士学位学历学位工作经历工作简历1992-10~2011-07,上海微系统与信息技术研究所,助研，副研，正研 1990-10~1992-10,德国FHG集成技术研究所,博士后 1985-09~1989-11,上海微系统与信息技术研究所,博士学位 1980-07~1985-07,吉林大学电子工程系,学士学位

科研成果

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成果分析

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重点学科匹配度: 论文历年发表情况; 合作发文情况; 文章被引情况

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高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征
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- 刊名：
  电子科学学刊
- 在线出版时间：
离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究
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  物理学报
- 在线出版时间：