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  • 600V槽栅IGBT优良性能的机理分析

    • 摘要：

      槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制

    • 作者：

      胡冬青,吴郁,贾云鹏

    • 刊名：

      北京工业大学学报

    • 在线出版时间：

  • 双极功率集成器件的优化

    • 摘要：

      以400V双极功率集成器件(由BJT与P-I-N二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像

    • 作者：

      吴郁

    • 刊名：

      北京工业大学学报

    • 在线出版时间：

  • 2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述

    • 摘要：

      综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展

    • 作者：

      吴郁

    • 刊名：

      电力电子

    • 在线出版时间：

  • 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

    • 摘要：

      提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGB

    • 作者：

      吴郁

    • 刊名：

      半导体学报

    • 在线出版时间：