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  • 采用热丝化学气相沉积法制备SICN薄膜的研究

    • 摘要：

      采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2.用原子力显微镜(AF

    • 作者：

      赵武,张志勇

    • 刊名：

      中南大学学报(自然科学版)

    • 在线出版时间：

  • 一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计

    • 摘要：

      目的 设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器.方法 输入级采用两对单一类型的N沟道差分对管作为输入管,用两个相同的N沟道源

    • 作者：

      赵武,张志勇

    • 刊名：

      西北大学学报(自然科学版)

    • 在线出版时间：

  • SIC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

    • 摘要：

      在CH4,H2,SIH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SIC薄膜.利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SIC薄膜的表面形貌

    • 作者：

      邓周虎,王雪文,赵武,张志勇

    • 刊名：

      电子元件与材料

    • 在线出版时间：

  • 低温生长SIC薄膜衬底碳化研究

    • 摘要：

      讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿SI(111)晶面异质生长SIC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SIC成膜的影响.利用扫描电子显微镜(

    • 作者：

      邓周虎,王雪文,赵武,张志勇

    • 刊名：

      电子元件与材料

    • 在线出版时间：

  • 碳化硅薄膜及压阻效应研究

    • 摘要：

      研究了SIC薄膜的制备及其压阻特性.利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SIC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其

    • 作者：

      邓周虎,王雪文,赵武,张志勇

    • 刊名：

      电子元件与材料

    • 在线出版时间：

  • 低温异质生长SIC薄膜预处理工艺研究

    • 摘要：

      讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿SI(111)晶面异质生长SIC薄膜的过程中,预处理工艺对SIC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应

    • 作者：

      邓周虎,王雪文,赵武,张志勇

    • 刊名：

      电子元件与材料

    • 在线出版时间：