魏学成，博士，中国科学院半导体研究所副研究员，硕士生导师，共主持国家重点研发计划项目项目、国家重点研发计划项目课题，国家自然科学基金委面上项目等15项，经费超过5000万元；发表SCI论文52篇，其中Advanced Materials 2篇，总引用次数超1000次；申请发明专利64件，授权15件；制定并颁布国家标准3项，团体标准7项，国内外会议口头报告14次。 主要从事紫外LED技术研究，特别是在利用飞秒激光研究器件效率和材料改性方面做出了重要工作：主要利用时间分辨荧光光谱研究穿透位错和点缺陷与发光效率的关系，确立了点缺陷对AlGaN基材料发光效率的影响，实现紫外LED内量子效率提升14.5%；利用激光退火改善Mg的激活效率和欧姆接触，发光效率提升13.2%；对紫外模组进行优化，提升了匀光效率，达到90%以上；改变芯片排布，使紫外LED模组光功率密度超过0.7W/cm2，L50寿命超过5000小时。