胡卫国，研究员，主要从事第三代半导体材料与器件的研究：发现了GaN 中力-电-光-热耦合的新现象；发展了金属有机物化学气相层积(MOCVD)外延生长技术，深入揭示了应力驱动的生长动力学机制；研制了高性能HEMT 和micro LED，性能指标达到国际先进水平。在Nature Communications、 Science Advances等学术期刊发表论文130余篇，引用9000余次；撰写专著 《Piezotronics and Piezo-Phototronics: Applications to Third-Generation Semiconductors》(Springer Cham, 202千字)；应邀在美国材料研究学会年度会议MRS 2019做Tutorial讲座。承担怀柔国家实验室、科技部、国自然、北自然、中国科学院和国科大等科研任务10余项。获欧洲先进材料协会IAAM Medal、北京地区广受关注学术论文等学术奖项。兼任北京海外高层次人才协会理事、怀柔区文联名誉主席、中国材料研究学会纳米材料与器件分会副秘书长、中国科学院大学物理科学学位评定分委员会委员、《Nano Energy》副主编和《Electronic》编委。入选中科院百人计划A、北京市海聚工程。