王晓良

药理学,毒理学和制药学

中国医学科学院 & 北京协和医学院药物研究所，中国药学会理事

基本信息

王晓良，男，1955年生，研究员，博士生导师。现任中国医学科学院药物研究院副院长，北京市重点实验室主任，国家药效学平台负责人，政府特殊津贴专家。获国家首届杰出青年科学基金（1994年），求是基金会杰出青年学者奖（1998年）及卫生部有突出贡献专家（2004年）。1982中国协和医科大学硕士毕业， 1987年德国埃森大学医学院获博士学位，并从事一年的博士后研究。 1979年至1980年任北京市工人疗养院内科医师，1982年至1984年任中国医学科学院药物研究所实习研究员，1988年回到药物研究所工作，1993年破格晋升为研究员，博士导师，1997年至2010年任医科院药物研究所所长，北京协和药厂法人代表等。王晓良教授长期从事心脑血管和神经药理学研究，率先将膜片钳技术引到国内，建立了包括分子生物学，电生理学和药理学的离子通道综合性研究平台；国家十五计划以来，领导建立和完善了国家心脑血管药物药效评价平台，为医药行业解决了很多疑难问题，并开展了大量的前沿性研究，如心脑血管药物评价的SOP，神经退行性疾病的生物标志物和新靶点研究，糖尿病脑病的机理研究和中药替代物的药效学评价模型和标准研究等。已领导开发抗脑缺血和老年痴呆的一类新药及一类中药多个，获得国家及部委课题近50余项，申请授权国内外发明专利近20项。培养博士研究生、博士后70余名。现任中国药学会副理事长，国际药学联盟（FIP）科学委员会委员，亚洲药学联盟（AFPS）主席。“药学学报”主编及多种国内外杂志副主编等。

科研成果

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Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
- 摘要：
  Thermally stimulated luminescence spectroscopy has been applied to
- 作者：
  Yanqin Gai;京波李;Qifeng Hou;晓良王;Hongling Xiao;Cuimei Wang;Jinmin Li
- 刊名：
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- 在线出版时间：
  2009
Fabrication of low dislocation density, single-crystalline diamond via two-step epitaxial lateral overgrowth
- 摘要：
  Continuous diamond films with low dislocation density were obtained
- 作者：
  Fengnan Li;Jingwen Zhang;晓良王;Minghui Zhang;Hongxing Wang
- 刊名：
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- 在线出版时间：
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- 摘要：
  Exciton transition energies in the In_xGa_1-xAs
- 作者：
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- 刊名：
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Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
- 摘要：
  AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with high perf
- 作者：
  Renping Zhang;Wei Yan;晓良王;Fuhua Yang
- 刊名：
  Journal of Semiconductors
- 在线出版时间：
  2011-6
Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices
- 摘要：
  Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices are grown by metalorgani
- 作者：
  Bao Zhu Wang;晓良王;Guo Xin Hu;Jun Xue Ran;Xin Hua Wang;Lun Chun Guo;Hong Ling Xiao;Jian Ping Li;Yi Ping Zeng;晋闽李;Zhan Guo Wang
- 刊名：
  Chinese Physics Letters
- 在线出版时间：
  2006-8-1
Development of high performance 1mm gate width AlGaN/GaN power HEMTs
- 摘要：
  An high performance AlGaN/GaN power heterostructure field effect tr
- 作者：
  Gang Shao;新宇刘;Zhijing He;建国刘;Ke Wei;Xiaojuan Chen;德馨吴;晓良王;宏陈
- 刊名：
  Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
- 在线出版时间：
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Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices

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