在我校双肩挑骨干人员出国访问政策的指导下,在国际合作交流处的支持下,本人经学校批准于2006年3月17日~5月17日在曼彻斯特大学进行了为期
王卿璞
国际学术动态
报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZNO薄膜,在514NM处观察到显著的单色绿光发射峰;且随着氧分压的增
山东大学学报(理学版)
用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备出具有良好的(002)择优取向的多晶ZNO薄膜.研究了室温下薄膜的光致发光特性,观察到显著的单绿光发射(波长
发光学报
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300NM的光激发,观察到在446NM处有一强的光致发光峰,它
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZNO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402NM)和弱的
半导体学报
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GAAS/ALGAAS多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗电