郝跃

物理学和天文学

西安电子科技大学

基本信息

微电子学与固体电子学家。西安电子科技大学教授。1958年3月21日出生于重庆市，籍贯安徽阜阳。1982年毕业于西安电子科技大学技术物理系，1991年在西安交通大学获博士学位。现任西安电子科技大学副校长。长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养，在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得创新性和应用性成果。发现了氮化物半导体材料生长中气相预反应、表面吸附原子迁移及晶格应力的关键物理机理，提出了一种反应气体脉冲式分时输运原理与方法；发现了二维电子气在高压、高温下迁移率退化与晶格应变驰豫的物理机制，提出了无应变背势垒和多沟道新型氮化镓异质结构，以及新型高K堆栈的介质栅MOS-HEMT器件结构，成功实现了高效率氮化物微波功率器件。曾获国家技术发明奖二等奖1项，国家科技进步奖二、三等奖各1项及何梁何利科技奖。

科研成果

总发文数(篇)
0
总被引数(次)
0
H指数
0
篇均被引(次)
0
TOP1%高被引
0
TOP10%高被引
0
FWCI
0
国际合作发文数(篇)
0

成果分析

期刊发文数占比
重点学科匹配度: 论文历年发表情况; 合作发文情况; 文章被引情况

科研论文更多

Crack-free GaN-based ultraviolet multiple quantum wells structures grown on AlN/2° misoriented sapphire template
- 摘要：
  An approach of growing crack-free GaN-based InGaN-multiple quantum
- 作者：
  X. M. Fan;J. C. Bai;S. R. Xu;进成张;培咸李;R. S. Peng;Y. Zhao;J. J. Du;X. F. Shi;跃郝
- 刊名：
  Thin Solid Films
- 在线出版时间：
  2018-10-1
Experimental research on breakdown characteristics of thin gate oxide
- 摘要：
  The breakdown characteristics of thin gate oxide were tested under
- 作者：
  红侠刘;跃郝
- 刊名：
  Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
- 在线出版时间：
  2000-2
Experimental analysis and physical model investigation of TDDB of thin gate oxide
- 摘要：
  Breakdown character of thin SiO₂ is investigated by usin
- 作者：
  红侠刘;Jian Ping Fang;跃郝
- 刊名：
  Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica
- 在线出版时间：
  2001-6
Elucidating the Roles of TiCl₄ and PCBM Fullerene Treatment on TiO₂ Electron Transporting Layer for Highly Efficient Planar Perovskite Solar Cells
- 摘要：
  With the fast development of the perovskite solar cell, its energy
- 作者：
  Jing Ma;Jingjing Chang;Zhenhua Lin;Xing Guo;Long Zhou;Ziye Liu;He Xi;Dazheng Chen;Chunfu Zhang;跃郝
- 刊名：
  Journal of Physical Chemistry C
- 在线出版时间：
  2018-1-18
AlGaN/GaN MOS-HEMT with stack gate HfO₂/Al₂O ₃ structure grown by atomic layer deposition
- 摘要：
  We have developed a novel AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high
- 作者：
  Yuan Zheng Yue;跃郝;进成张
- 刊名：
- 在线出版时间：
  2008
Studies on the InAlN/InGaN/InAlN/InGaN double channel heterostructures with low sheet resistance
- 摘要：
  High quality InAlN/InGaN/InAlN/InGaN double channel heterostructure
- 作者：
  Yachao Zhang;Zhizhe Wang;Shengrui Xu;Dazheng Chen;为民包;金风张;进成张;跃郝
- 刊名：
  Applied Physics Letters
- 在线出版时间：
  2017-11-27

科创中国

郝跃

基本信息

科研成果

总发文数(篇)

总被引数(次)

H指数

篇均被引(次)

TOP1%高被引

TOP10%高被引

FWCI

国际合作发文数(篇)

成果分析

期刊发文数占比

重点学科匹配度

论文历年发表情况

合作发文情况

文章被引情况

科研论文更多

Crack-free GaN-based ultraviolet multiple quantum wells structures grown on AlN/2° misoriented sapphire template

Experimental research on breakdown characteristics of thin gate oxide

Experimental analysis and physical model investigation of TDDB of thin gate oxide

Elucidating the Roles of TiCl₄ and PCBM Fullerene Treatment on TiO₂ Electron Transporting Layer for Highly Efficient Planar Perovskite Solar Cells

AlGaN/GaN MOS-HEMT with stack gate HfO₂/Al₂O ₃ structure grown by atomic layer deposition

Studies on the InAlN/InGaN/InAlN/InGaN double channel heterostructures with low sheet resistance

友情链接

海外专利信息资源系统 企业技术创新力在线自测系统

省级中心站

科创中国

郝跃

基本信息

科研成果

总发文数(篇)

总被引数(次)

H指数

篇均被引(次)

TOP1%高被引

TOP10%高被引

FWCI

国际合作发文数(篇)

成果分析

期刊发文数占比

重点学科匹配度

论文历年发表情况

合作发文情况

文章被引情况

科研论文 更多

Crack-free GaN-based ultraviolet multiple quantum wells structures grown on AlN/2° misoriented sapphire template

Experimental research on breakdown characteristics of thin gate oxide

Experimental analysis and physical model investigation of TDDB of thin gate oxide

Elucidating the Roles of TiCl4 and PCBM Fullerene Treatment on TiO2 Electron Transporting Layer for Highly Efficient Planar Perovskite Solar Cells

AlGaN/GaN MOS-HEMT with stack gate HfO2/Al2O 3 structure grown by atomic layer deposition

Studies on the InAlN/InGaN/InAlN/InGaN double channel heterostructures with low sheet resistance

友情链接

海外专利信息资源系统 企业技术创新力在线自测系统

省级中心站

科研论文更多

Elucidating the Roles of TiCl₄ and PCBM Fullerene Treatment on TiO₂ Electron Transporting Layer for Highly Efficient Planar Perovskite Solar Cells

AlGaN/GaN MOS-HEMT with stack gate HfO₂/Al₂O ₃ structure grown by atomic layer deposition

海外专利信息资源系统企业技术创新力在线自测系统