钟国仿博士毕业于北京科技大学材料科学与工程学院。在新材料的化学气相沉积领域，从事了超过26年的一线科研工作，对先进材料工艺和新型设备研发拥有非常深入的理解和技术积累。发表了超过50篇SCI论文，被引用2470多次；曾任多个学术期刊的论文评阅人；获中国授权专利8项，已申请专利27项。 2019年至今任深圳市纳设智能装备有限公司的创始人、CTO，成功研发出中国首台开放式卷对卷石墨烯化学气相沉积中试设备，并在宽度为150mm的铜箔上制备出了连续石墨烯薄膜并转移至柔性基底材料。在碳化硅外延设备方面，钟博士将具体负责团队生产设备的研发、碳化硅外延高温化学气相沉积的生长机制和工艺研究，为设备研发和新材料制备提供强力支撑。 2006年-2019年期间任剑桥大学工程系研究员，先后从事多个欧盟项目的研究（GRAFOL、TECHNOTUBE 和 VIACARBON），例如大面积、超高密度、垂直取向碳纳米管阵列的化学气相沉积及机理研究；卷到卷可集成化学气相沉积连续石墨烯的工艺研发。成功将单壁碳纳米管垂直阵列的密度提高一个数量级，达到了1013cm-2；通过改进设备，利用开放式卷对卷化学气相沉积方法，展示了24小时连续不断的生长石墨烯薄膜可能性；参与剑桥大学开展的多个“企业横向课题”，例如研发在铜箔上生长高密度单壁碳纳米管阵列的工艺及在晶圆上沉积高密度碳膜的工艺。 2002年-2006年期间任日本早稻田大学-日本学术振兴会特别研究员和客员讲师。为川原田研究室（Kawarada Hiroshi教授）开辟碳纳米材料化学气相沉积及应用的新研究方向；开创性的开发出了一种三明治结构的催化剂，制备出密度为1012cm-2（当时世界最高水平），几乎不含催化剂杂质的单壁碳纳米管阵列；对单壁碳纳米管的应用（无需纯化和方向重整）产生深远的影响。《日刊工业新闻》于2005年6月8日曾对此进行了报道。此外，指导硕士生用微波等离子体方法进行金刚石高浓度掺硼的研究，所制备的外延生长掺硼（111）金刚石的超导转变温度达到了10 K以上，为同期所报道的最高水平，并在《科学》杂志上发表。 2000年-2002年任飞利浦研究实验室-访问科学家。从事由德国教育研究部（BMBF）国际局（IB）和飞利浦（PHILIPS）研究实验室共同资助的项目“高二次电子发射产率材料在电子发射中的应用”；金刚石、氧化镁及其它宽带/具有负电子亲和性的材料作为电子发射层在显示器及相关领域应用的可能性；用微波等离子体方法制备高质量金刚石膜在X-射线窗口等医疗方面的应用。 1998年-2000年任北京科技大学博士后。从事国家高技术研究与开发计划（“863”计划）新材料领域“九五”重大项目：“直流电弧等离子体喷射方法制备的大面积高质量金刚石薄膜的制备、加工和应用的关键技术研究”通过优化工艺，利用10kW级直流电弧等离子体喷射设备，以5-10微米/小时的生长速率，制备出了直径20-30毫米的白色（抛光后透明）自支撑金刚石厚膜。其热导率达到18W/（cm.K）以上，远红外透过率达到金刚石的理论透过率~71%，是当时国内最高水平。