郭宝增，男，教授。1982年年毕业于河北大学，微电子专业。主要工作经历有：1982年毕业后留校，在河北大学电子信息工程学院工作，其中1990年-1991年在英国利兹大学作访问学者，2000年-2001年在美国伊利诺伊大学香槟分校（UIUC）作访问学者。现为电子科学与技术专业硕士研究生指导教师。 研究方向 集成电路设计，半导体器件特性及模拟研究。 科研项目 1. 河北省自然基金项目：GaN金属氧化物半导体场效应晶体管导电沟道载流子输运特性的研究(2009-2011)，主持人 2. 河北省教育厅项目：GaN MOSFET电沟道载流子输运特性的研究（2008-2010），主持人 3. 河北省教育厅项目：氧化锌太阳异质结太阳能电池研究（2003-2006），主持人 代表论文 1. Baozeng Guo, Umberto Ravaioli, Maritin Staedele. Full Band Monte Carlo Calculations of Velocity-field Characteristics of Wurtzite ZnO. Computer physics communication 2006, 175(7): 482-486 [SCI，EI收录] 2. Guo Baozeng，Guo Hui，Zhang Suoliang，Song Dengyuan.Simulation study of GaN n-MOSFETs by two-dimensional full band. 2010 ,Physica B, 45(24):4925-4930 [SCI收录] 3. Baozeng Guo,Umberto Ravaioli, Dengyuan Song. Properties of wurtzite GaN MESFETs studied by two-dimensional full band Monte Carlo approach. Microelectronics Journal, 2004 35(2):176-123 [SCI收录] 4. Guo Baozeng，Umberto Ravaioli Differential Negative Resistance Effect of Output Characteristics in Deep Sub-micrometer Wurtzite AlGaN/GaN MODFETs《Science in China F》(Series F) 2003. Vol. 46 No.3:187-198 [SCI收录] 5. 郭宝增Umberto Ravaioli. 深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应 《中国科学》E辑2003. Vol. 33 No.6:568 6. Guo Baozeng, Gong Na Yu Fu-qiang. Calculations of two dimensional electron gas distributions in AlGaN/GaN material system. Chinese Physics B. 2008, 17(1):290-295 [SCI收录] 7. 郭宝增，张锁良，刘鑫.钎锌矿相GaN电子高场输运特性的Monte Carlo模拟研究.物理学报，2011,60（6）：068701 [SCI收录] 获奖情况 1. CaN、ZnO材料和器件的Monte Carlo模拟研究。2009年获得省自然科学三等奖.主持人 2.氧化锌/单晶硅异质结太阳电池制备及电学和光伏特性的研究,获保定市科技进步一等奖.排名第二 3.电气信息学科2+2培养方案的研究与实践。2004年获河北省教学成果三等奖.主持人