刘卫丽

半导体技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

基本信息

刘卫丽：国家创新领军人才。在硅基半导体材料、纳米材料制备和表面改性技术、以及化学机械平坦化材料和工艺方面具有丰富的经验。先后在国内外刊物发表论文一百多篇，申请发明专利80余项，其中授权50项。主持了国家重大专项项目、国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关等多个项目。先后获得上海市技术发明一等奖（2016年）、国家科技进步一等奖（2007年）、中科院杰出科技成就奖（2007年）、中国科协求是杰出青年成果转化奖等奖项和荣誉。

科研成果

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超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
- 摘要：
  采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体
- 作者：
  刘卫丽
- 刊名：
  功能材料
- 在线出版时间：
Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator
- 摘要：
  In order to evaluate the strain stability, arrays of strained Si/Si
- 作者：
  Xuyan Liu;卫丽刘;Xiaobo Ma;志棠宋;Chenglu Lin
- 刊名：
- 在线出版时间：
  2010
Investigation of SOI substrates incorporated with buried MoSi₂ for high frequency SiGe HBTs
- 摘要：
  Highly arsenic-doped Si-on-insulator (SOI) substrate incorporated w
- 作者：
  Chao Chen;卫丽刘;Xiao Bo Ma;Qin Wo Shen;志棠宋;Cheng Lu Lin
- 刊名：
  Chinese Physics Letters
- 在线出版时间：
  2008-1-1
Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro-roughness of silicon wafer after final polishing
- 摘要：
  The effect of hydrogen peroxide (H₂O₂) concen
- 作者：
  Haibo Wang;志棠宋;卫丽刘;Hui Kong
- 刊名：
  Microelectronic Engineering
- 在线出版时间：
  2011-6
H distribution and strain evolution in SiGe/Si heterostructure implanted by H dimers
- 摘要：
  A 75nm Si_0.84Ge_0.16 film was grown at 500°C w
- 作者：
  Zhenghua An;Chuanling Men;卫丽刘;苗张;Yanjun Wu;Xinyun Xie;Paul K. Chu;Chenglu Lin
- 刊名：
  International Journal of Modern Physics B
- 在线出版时间：
  2002-11-20
Evaluation of hydrogen peroxide on chemical mechanical polishing of amorphous GST
- 摘要：
  As chemical mechanical polishing (CMP) becomes an essential step fo
- 作者：
  Liangyong Wang;志棠宋;卫丽刘;Bo Liu;Min Zhong;Aodong He;Songlin Feng
- 刊名：
- 在线出版时间：
  2012

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Investigation of SOI substrates incorporated with buried MoSi₂ for high frequency SiGe HBTs

Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro-roughness of silicon wafer after final polishing

H distribution and strain evolution in SiGe/Si heterostructure implanted by H dimers

Evaluation of hydrogen peroxide on chemical mechanical polishing of amorphous GST

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