低温票、高机电耦合系数化学计量比钽酸锂晶片的产业化工艺开发

发布时间: 2024-11-11

截止日期:2024-11-20

价格双方协商

地区：宁夏回族自治区银川市西夏区

需求方：宁夏***学会

行业领域

新材料技术

需求背景

随着无线通讯进入4G、5G时代，射频前端逐渐引起行业的重视，射频前端包括天线、滤波器、放大器等部分，滤波器主要为SAW(表面声波)滤波器，其中钽酸锂是其中性价比最好的材料，但进入5G时代，由于通讯频率向着大宽带、高频方向发展，普通的SAW器件不能满足要求，芯片厂家发展出温度补偿性SAW和BAW（体声波），但工艺复杂，国内掌握技术难度较大，材料厂家发展出键合晶片，但成本较高，推广难度较大；我们发展出低温票、高机电耦合钽酸锂晶片，使用传统的SAW的技术即可制造出满足5G需要的射频滤波芯片，且成本可控。

需解决的主要技术难题

对于普通的钽酸锂晶片，由于存在同成分点，一般的生长为同成分钽酸锂晶片，由于存在本征缺陷，影响了其声学性能，随着锂逐渐向化学计量比靠拢，温度漂移和机电耦合系数都有所改善，但这个成分存在最优点，这是我们首先解决的问题，找到最优成分点，并找到表征方法和检测标准。

期望实现的主要技术目标

1. 开发的晶片，能满足TC-SAW（温度补偿滤波器）的需要，温度漂移系数小于20ppm.

2. 开发的晶片能满足部分5G滤波器的要求，代替部分BAW器件

需求解析

解析单位：“科创中国”宁夏(新材料)区域科技服务团（宁夏回族自治区科学技术协会） 解析时间：2024-12-22

武金龙

北方民族大学

副秘书长

综合评价

此需求描述较为清晰，便于需求的进一步跟进和解决。此项需求对相关产业发展具有比较重要的促进作用，可能需要材料、化工、机械及装备制造业相关领域跨行业专家共同解决，具体可通过采取双方或多方合作开展联合技术开发，如通过与相关高校或科研院所通过校企横向课题合作的形式，或者通过联合申报各级各类科技攻关研发项目进行技术开发。

处理进度