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电子信息技术

需求背景

随着科技的不断发展，存储、计算及芯片设计已经成为了当今社会的关键领域。为了满足不断增长的数据需求和提高计算性能，我们需要研究和开发更先进的存储、计算和芯片设计技术。本项目旨在研究存储、计算及芯片设计的关键技术，为未来的科技发展提供技术支持。

需解决的主要技术难题

存储、计算及芯片设计面临的主要技术难题包括：

1. 新型存储材料和技术的研发：目前，新兴的存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器(PCM，Phase Change Memory)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储。

2. 高性能计算架构的设计：随着未来5G通讯、传感器（MEMS）、可穿戴设备、物联网、工业机器人、VR/AR以及人工智能等新兴领域市场的发展扩大，对计算类芯片性能、技术、能耗的需求也在不断提高。

3. 低功耗芯片设计：存算一体技术的核心优势包括减少不必要的数据搬运，降低能耗至1/10~1/100。

4. 芯片制造过程的各个环节：芯片制造的完整过程包括：芯片设计、晶圆制造、封装、测试等几个主要环节，其中每个环节都存在一定的技术难题。

5. 全产业链的技术突破：芯片产业包括设计、晶圆制造、EDA工具、原材料、封装、测试和半导体设备等七大板块，除了封测领域好一点外，其余领域都是不同程度的落后，都存在难点。

6. 高级研发工程师很难快速找到，且实际应用的领域很难快速达产，转化速度有点慢，积累不够。

期望实现的主要技术目标

主要的技术目标包括：

1. 在存储芯片领域，我们期望实现对EEPROM和NOR Flash的替代能力，这两类芯片一直是我国的重点发展对象。同时，我们也希望在市场份额上有所提升，目前存储芯片市场主要由美日韩企业占据，内存涨价一直困扰国内大大小小的电子厂商。

2. 在计算芯片领域，MCU、FPGA等细分赛道的突破是我们的目标，这是我国计算芯片发展的曙光。此外，近存计算和存内计算技术是未来的发展趋势，这种技术可以有效压缩计算单元和存储单元的时间与空间距离，提高面向智能应用芯片的能效和性能。

3. 在芯片设计方面，目标是实现硬件产品的依赖程度增加，提高社会生产力，节约人力资源，并高效的计算、存储。

4. 针对全产业链的技术突破也是重要的目标，包括从芯片设计、晶圆制造、EDA工具、原材料、封装、测试到半导体设备等七大板块的全面提升。

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