科创中国

行业领域

高新技术改造传统产业,先进制造技术

需求背景

微射流激光技术通过团队多年研发积累进行应用创新，完成全球首个

SiC 衬底加工应用验证。主要包括滚圆、切片、划片加工工艺的不断创新、

验证以及配合工艺所需的自研配件设计生产。公司采用委外硬件加工，在西

安实验室进行硬件适配验收方式完成整机的国产化替代。

需解决的主要技术难题

1.工艺技术创新

公司在切割方式及切割工艺方面技术创新，目前已实现多头串行分布式

加工工艺、多头并行稳时加工工艺、6/8 级台阶切割工艺等创新。

2.设备、配件的国产化

公司积极布局国产化生产生产整套设备及配件，完成了适配夹具、步进

系统、自旋系统等硬件图纸的自主设计。

3.高效耦合系统国产化

实现激光及高压水的高度耦合，公司正不断推进高效耦合系统的国产化

替代。

作为新一代半导体材料加工设备的技术领先者，应用微射流激光切割技

术，已经成功完成 6 英寸碳化硅晶锭的切割，可实现高效率、高质量、低成

本、低损伤、高良品率碳化硅单晶衬底制备，在第三代半导体切割领域具有

独创性、开拓性与先导性，具有非常广泛的推广应用价值。

期望实现的主要技术目标

采用新技术完成 SiC 单晶衬底的加工，期望实现高效率、高质量、低

成本、低损伤、高出品率衬底。

技术指标：以 6 英寸 SiC 为例：新技术滚圆速率是传统技术的三倍；

良率方面，传统技术滚圆良率综合数据为 86%，新技术为 99%+；新技术加工

单片速度是传统技术的 8 倍；传统技术切片表面 Ra＞90μm，新技术 Ra＜

***μm；

经济指标：传统技术切 2 片所需材料采用新技术可形成 *** 片，成

片 *** 万元/片；

成本指标：传统技术加工过程需人为监督，新技术实现全自动化，人

力降低 90%；从切口损耗、热损伤层、翘曲度三个维度考虑材料节约，新技

术较传统技术节约 70%；新技术可将传统技术切片后必经的粗磨、精磨、CMP

处理实现切片后直接 CMP，节省设备及耗材的投入外还可极大缩短磨抛时间

及损耗。

需求解析

解析单位：“科创中国”人工智能专业科技服务团（西咸新区人工智能行业协会） 解析时间：2023-11-29

靖 锋

西咸新区人工智能行业协会

秘书长

综合评价

此项目足够清晰可以进行需求跟进

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处理进度