科创中国

行业领域

生物产业,生物质能产业

需求背景

20世纪80年代以来，美、日、欧等发达国家为保持航天、军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。这些国家和地区在碳化硅半导体领域，已走在世界前列。国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第三代半导体领域实现弯道超车。《中国制造2025》和“十三五规划”也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。

需解决的主要技术难题

1.碳化硅原料合成技术 *** seed crystal籽晶固定技术 *** the polytype多型相变控制技术 4.电阻率及均匀性调控技术 *** of crystal Size晶体直径放大技术 *** closure微管闭合技术 *** micro-inclusion消除微观包裹物技术 *** the dislocation抑制位错密度技术 *** stress by annealing 消除晶体内应力

期望实现的主要技术目标

碳化硅原料作为碳化硅晶体生长的最关键原材料之一，其质量与生长所得的碳化硅晶体质量息息相关。目前大庆益泰自主研发，采用高温固相反应法（高温自蔓延法）合成碳化硅原料，原料指标可达到：GDMS检测：杂质含量小于1PPM；（SEM）检测合成料微观形貌为合成原料（8-20目）是多晶颗粒，单晶颗粒尺寸在***。导电合成料合格率可以达到75%左右，直接成本价格可控制在1000-1200元/KG。未来重点是优化半绝缘碳化硅合成料技术工艺，控制硅粉、碳粉原料中B、Al、Ti、Fe等杂质的含量，降低半绝缘原料中N的含量，做好合成过程中的监视，以满足半绝缘碳化硅晶体对合成料的技术指标要求。

处理进度