同步整流控制器——替代 ZXGD3103
价格 双方协商
地区: 北京市 市辖区 海淀区
需求方: 中关***合会
行业领域
新材料技术
需求背景
当 MOSFET 工作在二极管状态时,控制器发出驱动控制 MOSFET 工作在近似理想二极管状态。控制器由高压差分检测电路(支持检测电压不低于180V)和大电流驱动器组成。高压差分电路监测 MOSFET 的反向电压,一旦 MOSFET 的寄生二极管导通,立即发出驱动信号;MOSFET 的电流降低到一定值之后,需要 MOSFET 快速关闭驱动信号。
需解决的主要技术难题
1、驱动电压与电流成比例变化;
2、支持 LLC 和反激拓扑;
3、原位替换 ZXGD3103;
4、高的漏极检测电压≥180V;
5、可工作在断续模式、临界连续模式和连续模式。
期望实现的主要技术目标
1、供电电压 5V~15V;
2、漏极电压范围-3V~180V;
3、驱动器源/拉电流:***;
4、驱动器关断 VD 阀值电压:-16mV~0mV;
5、开通传输延迟:150ns;
6、关断传输延迟:15ns;
7、工作结温范围:-55℃~+150℃。
处理进度