50G baud EML激光器芯片研发_科创中国

50G baud EML激光器芯片研发

发布时间: 2023-09-12

来源: 科技服务团

截止日期:2023-09-12

价格双方协商

地区：山东省济南市历下区

需求方：山东***公司

行业领域

电子信息技术,微电子技术

需求背景

突破50G baud EML激光器芯片外延片结构设计、外延片材料MOCVD生长、芯片制备、芯片封装测试等关键技术，研究低电容、高宽带技术，开发不受RC限制的超高速III-V族半导体材料行波电极技术，提出切实可行的技术路线和实现方案，形成送样。

需解决的主要技术难题

50G baud EML光芯片：

工作波长1270~1330nm，

小信号带宽>42G，

输出光功率>10mW，

静态消光比>13dB，

PAM4眼图代价TDECQ<***。

期望实现的主要技术目标

需达到效果：50G baud EML出货达到3万只，投产后年生产能力达50万套；

时间要求：2年

拟采取的合作方式：项目评审通过进入供应商目录

处理进度

提交需求

2023-09-12 14:29:16
确认需求

2023-09-12 15:46:32
需求服务

2023-09-12 15:46:32
需求签约
需求完成

服务方

“科创中国”山东科技服务团（示范项目）