科创中国

行业领域

高新技术改造传统产业,先进制造技术

需求背景

场效应晶体管(FET)简称场效应管，是一种利用电场效应控制输出电流大小的半导体器件。半导体材料性能目前是场效应晶体管技术研发的主攻方向。以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代元素半导体材料，原材料丰富、成本低廉，已被广泛应用在光电器件和集成电路;以砷化镓(GsAs)为代表的第二代化合物半导体材料主要应用在高速、微波以及光电器件领域;第三代半导体材料包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等，常用在雷达和无线通信领域;而工艺方面与现有硅器件加工工艺类似，包括:材料制备(如胶带剥离方法、气相沉积法、原子层沉积法和脉冲激光沉积法等)、光刻、沉积金属、剥离和退火等工艺。场效应品体管的应用范围广泛，如电子信息领域的集成电路、电子显示器件、自动控制技术等;生物医学领域的生物传感器(如蛋白、DNA、RNA 肿瘤标志物、病毒、细胞传感器等);国防军事领域的微型武器、雷达接收机、微波通信和卫星通信等;清洁能源领域的光伏和太阳能电池等都离不开场效应晶体管。

需解决的主要技术难题

防止因机械震动、冲击所造成的损坏，必须将制得的器件封装起来。封装形式一般有采用金属、陶瓷、玻璃的气密性封装和采用塑料的非气密性封装。一般来说，前者的可靠性优于后者，但采用后者可大大降低生产成本和器件重量，缩小器件体积，提高生产率。而且，随着封装塑料、封装工艺和设备的不断改进，以及器件表面钝化工艺和材料的不断进步，塑封器件的可靠性目前已比七十年代初期至少提高了一个数量级。

期望实现的主要技术目标

主要目标：

1、降低生产成本和器件重量，缩小器件体积，提高生产率。

2、提高器件表面钝化工艺。

3、封装制得的器件，做到防止因机械震动、冲击所造成的损坏。

需求解析

解析单位：湖北省荆门市 解析时间：2023-09-14

田宜忠

湖北省荆门市科协

主任

综合评价

该技术需求背景介绍和需要解决的主要技术难题分析比较清晰，研发内容和期望实现的技术目标明确。开展的项目研究对行业技术提升具有重要的现实意义，项目研究成功对推动行业的技术进步具有重要的意义。企业综合实力较好、研发实力较强、发展前景好。技术需求真实，市场潜力大。

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