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硅基GAN射频功率器件研发

发布时间: 2023-06-02
来源: 科技服务团
截止日期:2023-06-09

价格 双方协商

地区： 天津市 市辖区 西青区

需求方： 天津***公司

行业领域

新材料技术

需求背景

GaN器件的衬底材料一般为硅、碳化硅、蓝宝石三种，其中硅基AlGaN/GaN HEMT因 为其价格低、良好的晶圆尺寸可伸缩性而备受青睐。尽管良好的材料特性和异质结特性，但 硅基GaN HEMT的关态击穿电压仍然远低于理论上的极限值，这极大的限制了其在高压开关 领域中的应用。

硅基GaN HEMT中，由于衬底硅并非如碳化硅、蓝宝石那样完全绝缘，所以其关态击 穿特性与常规的HEMT器件不同:硅基GaN HEMT的关态击穿电压随着栅漏间距的增大会逐渐 饱和而非逐渐增大。饱和关态击穿电压的大小在栅漏间距不是很大时，与垂直方向上的外 延层厚度有直接关系。基于晶格失配以及大晶圆尺寸下弯曲度等的考量，外延层不能太厚， 因此在提高硅基GaN HEMT的关态击穿电压方面具有一定的挑战。

需解决的主要技术难题

此技术需解决：

1.目前主要技术问题器件的性能及可靠性能力未达到产业化预期。需提高器件的属性以达到增强该设备的可靠行。

2.需要达到5G通信要求更高的功率、更高的线性度、更高的工作频率（毫米波段）以及更高的效率

期望实现的主要技术目标

a GAN射频器件主要完成样品制作，器件性能达到目前市场主流水平的同时与MOS产品的平台良好兼容。

b GaN Wideband Power Amplifier,28V,5W,20-2700MHz样品参数性能达到业内旗舰公司MACOM同等水平。

需求解析

解析单位：天津市滨海新区 解析时间：2023-06-07

吴正斌

天津中科先进技术产业有限公司

总经理

综合评价

这个企业已经有一定的基础，建议与相关学会组织搭建平台，请学会以及研究所、大学和相关企业参与，可能会攻克难关，会对我们国家甚至世界所存在问题提出解决的措施并做出贡献，前途可期。
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处理进度

  1. 提交需求
    2023-06-02 15:45:51
  2. 确认需求
    2023-06-02 16:39:22
  3. 需求服务
    2023-08-18 10:00:55
  4. 需求签约
  5. 需求完成
服务方

“科创中国”天津中科院先进科技成果技术转移转化专业科技服务团