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您所在的位置: 需求库 技术需求 硅基GAN电力电子器件研发

硅基GAN电力电子器件研发

发布时间: 2023-06-02
来源: 科技服务团
截止日期:2023-06-09

价格 双方协商

地区： 天津市 市辖区 西青区

需求方： 天津***公司

行业领域

新材料技术

需求背景

GaN器件的衬底材料一般为硅、碳化硅、蓝宝石三种，其中硅基AlGaN/GaN HEMT因 为其价格低、良好的晶圆尺寸可伸缩性而备受青睐。尽管良好的材料特性和异质结特性，但 硅基GaN HEMT的关态击穿电压仍然远低于理论上的极限值，这极大的限制了其在高压开关 领域中的应用。

硅基GaN HEMT中，由于衬底硅并非如碳化硅、蓝宝石那样完全绝缘，所以其关态击 穿特性与常规的HEMT器件不同:硅基GaN HEMT的关态击穿电压随着栅漏间距的增大会逐渐 饱和而非逐渐增大。饱和关态击穿电压的大小在栅漏间距不是很大时，与垂直方向上的外 延层厚度有直接关系。基于晶格失配以及大晶圆尺寸下弯曲度等的考量，外延层不能太厚， 因此在提高硅基GaN HEMT的关态击穿电压方面具有一定的挑战。

需解决的主要技术难题

该技术需解决：

*** HEMT的厚度是一个待解决的问题，通过控制其的厚度来获得较高的击穿电压。

2.器件的性能参数和可靠性不能达到产业化的预期，需要一种新的技术改善其性能参数。 

期望实现的主要技术目标

a GAN 器件主要达成200V以下及600-750V电压等级的增强型器件

b 静动态参数达到市场主流产品水平

c 1000H高温可靠性评估以及对应的应用评估和客户认证

需求解析

解析单位：天津市滨海新区 解析时间：2023-06-07

吴正斌

天津中科先进技术产业有限公司

总经理

综合评价

这个企业已经有一定的基础，建议与相关学会组织搭建平台，请学会以及研究所、大学和相关企业参与，可能会攻克难关，会对我们国家甚至世界所存在问题提出解决的措施并做出贡献，前途可期。
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处理进度

  1. 提交需求
    2023-06-02 14:58:26
  2. 确认需求
    2023-06-02 16:40:38
  3. 需求服务
    2023-08-18 10:05:17
  4. 需求签约
  5. 需求完成
服务方

“科创中国”天津中科院先进科技成果技术转移转化专业科技服务团