蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的技术需求
价格 双方协商
地区: 广东省 深圳市 南山区
需求方: 中国***究院
行业领域
新材料技术
需求背景
真空镀膜可以获得多种薄膜功能材料,例如薄膜太阳能电池,发光二极管(Light-Emitting Diode, LED),薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)显不屏等。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜是将待镀材料和被镀基板于真空室内,采用一定方法加热待镀材料,使之蒸发或升华,并飞行到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。蒸发镀膜可以采用分子束外延生长(Molecular Beam Epitaxy, MBE)装置。MBE装置一般包括真空系统、生长系统和监控系统。
需解决的主要技术难题
此技术需解决:
1.由于待称量的薄膜很薄,这两种情况会带来较大误差。不能获得精准的束流与源炉工作温度关系
2.一个重要技术问题是控制好各种组分的含量,特别是在有化学计量比要求的化合物生长过程中,精确控制各组分含量是得到高质量薄膜的关键
期望实现的主要技术目标
a 避免普通称重法中因为衬底和膜层的吸湿性不同以及膜层在空气中发生化学反应带来的误差
b 获得的所镀薄膜的净重量是绝对测量值,而且没有测量范围的限制,数据直接可靠
c 根据束流与对应的源炉工作温度关系图来获得镀膜时所需的源炉工作温度,最终得到镀膜质量较高的铜铟镓硒薄膜。
需求解析
解析单位:天津市滨海新区 解析时间:2023-03-27
吴正斌
天津中科先进技术产业有限公司
总经理
综合评价
处理进度