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行业领域

新材料技术

需求背景

近年来，集成电路的Ξ维封装技术被认为是满足摩尔定律甚至实现超越摩尔定律 的最佳途径。因此，Ξ维封装中的娃通孔(TSV)技术W及成套制程的产业化就显得尤为重 要。目前，深宽比5:1 W下的娃通孔制程已经具备了量产的可能性，尤其更低深宽比的娃通 孔互联技术已经在CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)图像传感器领域获 得成功应用。其中，娃通孔互联技术包括通孔刻蚀、通孔绝缘、种子层淀积、电锻导线层、塞 孔等重要工艺，但是通孔绝缘被认为是最基础和关键的工艺步骤。

需解决的主要技术难题

此技术需解决:

1.传统的集成电路工艺中 的绝缘层一般通过化学气相沉积方法(CVD)制备，通过运种方法形成的二氧化娃层具有较 高的介电常数（一般大于***)，使得寄生电容导致的互连上信号传输的延迟较为严重

2.通过CVD形成的二氧化娃层与娃基底的结合力较差，容易引起产品良率降低，增加成本

3.用于气相沉积的真空锻膜设备价格昂贵，大大限制了该项技术的大规模量产。

期望实现的主要技术目标

a 加热的升溫速率优选为4°C，降溫的速率优选为4°C。采用上述固化方法使绝缘层 的前驱体固化，形成的绝缘层的高保性好

b 升溫时间和降溫时间，固化时间为3小时~7 小时

c 绝缘层用组合物本身的性质使得该绝缘层的前驱体的固化溫度较低，最高仅为180 °C，有利于降低娃穿孔制程的能耗

需求解析

解析单位：天津市滨海新区 解析时间：2023-02-16

吴正斌

天津中科先进技术产业有限公司

总经理

综合评价

这个企业已经有一定的基础，建议与相关学会组织搭建平台，请学会以及研究所、大学和相关企业参与，可能会攻克难关，会对我们国家甚至世界所存在问题提出解决的措施并做出贡献，前途可期。

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