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电子信息技术

需求背景

传统整流二极管芯片是PN结芯片，属于台面技术，是在N型硅片两面分别扩散硼和磷从而在交界处形成PN结。PN结在正向偏置时，内建电场被偏置电压削弱了，使内部扩散电流持续产生，从而正向导通，其正向导通压降约为***（在大电流时，由于P区和N区电阻产生的压降存在，从而使正向峰值电压下的正向压降约为***）。

目前，国外厂商采用的高效整流二极管方案有PSBD（平面肖特基势垒二极管）、TSBD（沟道肖特基势垒二极管）、PJBS（平面结构势垒肖特基）等。

对不同芯片结构的样品进行常规电性对比发现，PMBD结构的样品VF和IR相对更低。芯片VF值降低，IR会相应增加，而IR增加会影响产品的使用性能和输出去效率。在设计过程中，需通过调整芯片结构、栅极氧化物的厚度、栅极材料和沟道中的掺杂浓度来优化芯片的电性，从而满足VF≤***，IR≤10µA的要求。

需解决的主要技术难题

1.高效整流二极管芯片结构研发，采用MOS势垒型芯片代替传统PN结芯片，实现正向压降VF≤***；

2.高效整流二极管芯片工艺制备技术，制备MOS势垒结构芯片，确保产品可靠性；

3.高效整流二极管芯片封装技术，设计管座、引线和焊片的结构，从而提高二极管的可靠性；

期望实现的主要技术目标

a.正向压降VF≤***；

b.反向漏电流IR≤10µA；

c.高温存储寿命：≥1000h；

d.功率循环次数：≥1000次；

e.反向浪涌耐量：≥150J

需求解析

解析单位：重庆市永川区 解析时间：2022-12-02

夏文汇

重庆西南大学

教授

综合评价

通过需求描述，经过研究检索，比如在高效整流二极管芯片工艺制备技术，制备MOS势垒结构芯片，确保产品可靠性方面，这些技术市面上已经可以达到，可以直接使用现实的技术。其他方面需求通过推荐行业专家来进行解决，对未解决需求方面进行系统摸排和功能掌握，确定其在市场上同类产品中的独特性与性能优化方法，后将所有产品功能特征明显、有别于其他同类产品的功能进行优化、提升。 该需求没有明确企业是想购买需求还是想要合作购买产品，此方面没有明确，我给出的建议是让企业购买专家技术咨询，这样让公司的工作人员结合专家的指示来做比较节省成本，大概需要十万元左右。 最后，该需求要实现的目的还是非常好的，可以有效的节省成本，对比传统工艺技术，提升了质量和性能，带来的各方进步可以促使成果带来更好的升级，进一步增加营收，带来经济税收的进一步发展，有益于社会。

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