水导激光切割关键技术研究
价格 双方协商
地区: 四川省 内江市 市中区
需求方: 四川***公司
行业领域
高端装备制造产业,智能制造装备产业
需求背景
拟解决传统切割技术逐渐不能满足半导体封装的加工需求问题,切割工序要求加工精度高、热影响区小以及处理污物简易,将水导激光技术应用于半导体晶圆划片、重布线层及部分产品的切割优化,在现有工艺内实现技术升级,开展水导激光与材料相互作用研究,包括硅片、铜合金等框架材料及各类塑封料;研究水导激光技术的工艺参数与切割效333果的数学关系,制定工艺设计规则,拆解技术动作进行重组,实现技术匹配与嵌入。
需解决的主要技术难题
重点突破水导激光在晶圆划片与产品切割的技术实践。计划采用设备结合理论设计多组实验,分析数据,确定参数关系与能力窗口,发掘水导激光技术在半导体产业的潜力。晶圆划片拓展至以 SiC、GaN 为主的第三代半导体材料,产品切割由框架产品拓展至基板类产品,进而涉足大密度、小尺寸产品。
期望实现的主要技术目标
1、晶圆划片方面:硅片切割厚度50-500um,切缝宽度<30um,无加工废料残留,X、Y 方向准确度<2um,速度1000mm/s,cpk>***。
2、产品切割方面:切割深度***,切面无毛刺,X、Y 方向准确度<5um,速度500mm/s,cpk>***。
需求解析
解析单位:“科创中国”专利大数据技术竞争情报专业科技服务团(中国知识产权研究会) 解析时间:2022-12-03
周俊
中国知识产权研究会
项目主管
综合评价
处理进度