科创中国

行业领域

电子信息技术,新型电子元器件

需求背景

拟解决当前核技术应用领域国产高端影像设备的半导体探测器技术突破及国产化问题。目前CdTe（碲化镉）和CZT（碲锌镉）半导体探测器在高端医疗影像领域，已经被GE、西门子、飞利浦等国际巨头应用于CT、SPECT等，这一光子计数探测器的应用被 FDA 誉为技术革命，而国内尚未有成熟产品。当前国产 CZT 材料的生长制备以西北工业大学团队成果最为显著，但仍有提升空间，且半导体探测器的应用需要匹配复杂的读出电子学系统，对大量的输出信号进行放大、处理、传输和存储，即ASIC 芯片，而这一专用芯片在国内也处于起步阶段。

需解决的主要技术难题

针对这一问题，在改进国产CZT/CdTe 晶体生长工艺，提 升 大 体 积 晶 体 良 品 率 的基础上，研发设计与国产CZT/CdTe 晶体相匹配的三维位置灵敏的，专用多通道、高速、高分辨率、低噪声 ASIC 芯片，从技术指标上追赶甚至超越进口产品。最终实现国产高性能CZT/CdTe 探测器模组的批量生产和进口替代，同时推动高性能CZT/CdTe 探测器模组在核技术应用领域的广泛使用，以达成产品升级、技术进步的目标。

期望实现的主要技术目标

a. 能 量 响 应 范 围 为 250keV~3MeV ；

b. 能量分辨率≤***%FWHM@662keV；

c. 漏电流<***；

d. 定位时间＜90s（***μSv/h）；

e. 空间分辨率（角分辨率）15°以内；

f. 探测器可拼接，像素阵列和像素尺寸支持定制。

需求解析

解析单位：“科创中国”专利大数据技术竞争情报专业科技服务团（中国知识产权研究会） 解析时间：2022-12-03

周俊

中国知识产权研究会

项目主管

综合评价

技术需求较为清晰，可根据专利大数据进行全球碲锌镉/碲化镉探测器模组技术的深入分析，根据分析研判得到的技术创新动向信息，由专家与需求方共同研判进一步的技术开发方向与开发方式。

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处理进度