非易失存储器的设计与建模/高速DRAM设计与建模

发布时间: 2022-11-24

来源: 科技服务团

截止日期:2022-11-24

价格双方协商

地区：湖南省长沙市岳麓区

需求方：湖南***公司

行业领域

电子信息技术

需求背景

目前在技术方面存在的困难以及需解决的问题非易失存储器和高速DRAM，由于其存储单元bitcell与工艺相关，工艺厂家不愿意开放单元的相关电参数和版图，希望协调拿到bitcell的电参数、版图和数据手册。

宇航级集成电路设计的抗辐射加固核心技术；宇航级大容量一次可编程PROM的研制和产业化；宇航级大容量随机存储器SRAM的研制和产业化；宇航级大容量可编程EEPROM的研制和产业化；高速低功耗随机存储器SRAM的研制和产业化；高可靠性DDRSRAM存储器的研制和产业化；抗辐照IP库（LDO、PLL、IO/STD、SRAM、MTP、EEPROM）可支持各个工艺的宇航级ASIC设计服务。

需解决的主要技术难题

相关技术指标或要求希望获得bitcell的面积、功耗、读写电压/电流、器件IV特性，版图结构等信息。

期望实现的主要技术目标

预期成果及经济社会生态效益预期获得专利和版图著作权合计4项，解决元器件的自主可控问题，国产化量产后预计产生经济效益2~3亿人民币/年。

处理进度

提交需求

2022-11-24 11:54:19
确认需求

2022-12-01 16:08:23
需求服务
需求签约
需求完成

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