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您所在的位置: 需求库 技术需求 高温深紫外MOCVD装备

高温深紫外MOCVD装备

发布时间: 2022-11-14
来源: 科技服务团
截止日期:2022-11-14

价格 双方协商

地区： 北京市 市辖区 海淀区

需求方： 北京***公司

行业领域

电子信息技术

需求背景

受今年新冠肺炎疫情的影响，大众加深了对深紫外杀菌消毒的认知。深紫外LED广泛应用于对空气、水和物体表面消毒等终端消杀产品和应用场景，尤其是深紫外LED防疫消杀产品在病毒防疫工作中起到积极作用。疫情发生以来，深紫外LED等具有杀菌消毒功效的产品市场需求猛增，让深紫外LED有了广阔的应用空间。

需解决的主要技术难题

公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展，高温：超过1400ºC的高温，炉丝式加热难以达到对热屏蔽、电绝缘、热梯度控制技术带来挑战。

预反应： 紫外外延主要难度是高Al组分的AlGaN（或者AlN）的外延，控制预反应是一大难题。

期望实现的主要技术目标

期望研发出专门用于深紫外LED的7片机和48片机型；生长温度高达1400℃以上，加热丝具有很好的寿命；生长压力30torr到常压连续可调；顶盘实现水冷喷淋式均匀进气，均匀性优于1%，有限元仿真模拟热场、流场满足客户需求。

需求解析

解析单位：“科创中国”创业投资专业科技服务团（北京创业投资协会） 解析时间：2022-11-14

钟佩玲

海高基金

投资总监

综合评价

我们现在已经看到了深紫外LED带来的切实好处，它已成为消灭有害病原体的重要工具。OCVD设备可以满足深紫外LED大批量、低生产成本的制造需求。 当前公司专注研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型，生长温度高达1400℃以上，加热丝寿命长；生长压力30torr到常压连续可调；均匀性优于1%，有限元仿真模拟热场、流场可满足客户需求。开发出的AlN缓冲层的生长工艺，生长速率为1um/h时，XRD摇摆曲线半高宽，（002）最低达到30弧秒，（102）小于500弧秒。初步制作的280nm附近深紫外LED已实现电注入发光，发光功率大于1mw。有望实现批量设备上280nm以下深紫外LED的材料生长，并结合器件工艺实现规模化深紫外LED的技术突破，为深紫外LED降低成本，规模应用解决生产设备和成套工艺的技术瓶颈。
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处理进度

  1. 提交需求
    2022-11-14 14:50:33
  2. 确认需求
    2022-11-14 15:00:02
  3. 需求服务
    2022-11-14 15:00:02
  4. 需求签约
  5. 需求完成
服务方

“科创中国”创业投资专业科技服务团