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您所在的位置: 需求库 技术需求 砷化镓表面损伤层及氧化层结构多样性分析

砷化镓表面损伤层及氧化层结构多样性分析

发布时间: 2022-11-02
来源: 科技服务团
截止日期:2022-11-02

价格 双方协商

地区： 北京市 市辖区 海淀区

需求方： 北京***协会

行业领域

新材料技术

需求背景

砷化镓属材料，最早出现砷化镓在半导体电学性能方面的研究报道是1952年，随着现代工业冶炼提纯技术的进步和微电子技术的发展，砷化镓材料成为III-V族化合物半导体中应用最为广泛、相关技术最为成熟的材料。

需解决的主要技术难题

砷化镓加工一直以来保持传统的化学机械抛光模式，需要使用大量的化学抛光液，产生大量的含砷废水，针对国家对环境保护的日益重视，需要针对开发全新的抛光方式就需要对表面损伤及氧化层的结构做出精细的测试来辅助新工艺的开发。目前针对表面损伤层及表面氧化层的保证需要很多测试工作。需要电子显微镜，XPS,原子力显微镜，PLmapping测试，俄歇测试。SIMS,X光衍射半峰宽测试等等。

期望实现的主要技术目标

建立了一套用XPS准确测量砷化镓表面化学组成、氧化层厚度的测量方法。自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3及元素As组成，表面明显富镓，而且表面晶体完整性越差，表面自然氧化层越厚；而氧化层越厚镓砷比越大。砷化镓表面硫化层厚度与所用溶液的极性有关，用极性小的有机醇（乙醇和异丙醇）作溶剂可以得到更厚的硫钝化层 。

需求解析

解析单位：“科创中国”创业投资专业科技服务团（北京创业投资协会） 解析时间：2022-11-07

王赤坤

疆亘资本

董事合伙人

综合评价

由于砷化家单晶材料的优异电学性能,其应用越来越广。砷化家衬底的表面质量往往对随后的外延生长，以及器件制作产生较大影响。例如表面颗粒污染以及有机物残留将会使外延层中的缺陷密度增加，甚至无法生成完整的薄膜。而金属以及其他离子则会残留在界面处，造成pHEMT等器件漏电电流增加，高频特性降低等问题。 因此对砷化家晶片以及硅晶片表面微量杂质的控制一直是微电子领域最为关注和研究的热点之一。随着集成电路以及器件尺寸越来越小，在器件加工过程中，材料表面的微量污染往往对器件的工作性能、使用寿命和可靠性等有着决定性的影响。
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处理进度

  1. 提交需求
    2022-11-02 16:17:30
  2. 确认需求
    2022-11-06 18:25:27
  3. 需求服务
    2022-11-06 18:25:27
  4. 需求签约
  5. 需求完成
服务方

“科创中国”创业投资专业科技服务团