基于0.11um 5V的亚阈值数字标准单元库研发
预算 双方协商
基本信息
地区: 浙江省 宁波市 鄞州区
需求方: 万宁***公司
行业领域
电子信息技术
需求描述
一、需求背景
大量研究表明,电源电压在MOS器件阈值电压附近,系统获得最低能耗,近/亚阈值数字电路设计技术迅速兴起和发展,已成为低功耗领域的重要研究方向
对应的技术课题包括:包括工艺研究与方案设计、单元设计与物理实现、库文件的提取以及单元库验证。
二、服务内容
随着集成电路工艺技术的不断发展,工艺线宽不断减小以追求高集成度与高速度,带来的最大问题就是功率密度的不断增大,功耗过高问题逐渐成为限制集成电路发展的最关键因素。近年来兴起的无线传感网络、医疗电子和便携式消费电子等热门应用,对功耗要求越来越高,低功耗技术成为工业界和学术界研究的焦点。作为能够线性降低漏电功耗和二次方降低动态功耗的低功耗技术,极低电压技术被广泛研究和采用。
三、服务要求
最低能耗点理论作为近/亚阈值电路的核心理论,完美地诠释了近/亚阈值技术的重要研究意义。对极低电压下MOS器件和单元电路的特性需要做深入研究,包括单元性能恶化,NMOS/PMOS驱动比增大导致的单元上拉网络和下拉网络失配增大,温度反型效应,短沟道效应和反短沟道效应,以及窄沟道效应与反窄沟道效应等。
在*** 5V工艺下,建立一套亚阈值数字标准单元库,实测运行功耗降低40%,电池运行时常增加一倍。
处理进度