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行业领域

电子信息技术

需求描述

一、需求背景

作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT 是国际上公认的第三次革命具代表性的电力电子技术产品。IGBT已广泛应用于工业、4C、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新产业领域。

二、服务内容

通过该项目研发，提出一套3300V/62A IGBT芯片研制技术，性能指标达到国内领先水平，与ABB公司进口同类产品相当，实现3300V IGBT芯片及器件国产化，解决“卡脖子”技术的关键问题。

三、服务要求

针对高压IGBT通态压降高、关断较慢，通过器件结构设计解决。

按照项目牵头单位目前每年自身需求及外部销售高压IGBT模块计算，项目实施结束后，实现自主化IGBT模块替代进口，每年可减少5500只IGBT模块进口采购，每只IGBT模块按照7000元采购价计算，可新增产值3850万元，新增利税350万元，带动后端功率单元、变流器产值约2亿元。

本项目IGBT芯片及模块优化及可靠性提升技术成果，可推广到其它电力半导体器件，提升我国电力电子装备质量和水平，并带动电网、工业变频等领域实现高压IGBT的自主化替代，降低变流装置全生命周期成本，为我省及全国电力电子产业带来更大的经济和社会效益。

本项目的实施，将有效推动自主化高压IGBT芯片及其模块的产业化进度，尽快突破高压IGBT产业化进程中一系列“卡脖子”问题，最终实现进口替代。

处理进度