科创中国

行业领域

新能源及节能技术

需求背景

每相釆用独立的DCB陶瓷，以得到优化的热耦合和热扩散特性； 以被直接冷却的基板为功率半导体和散热媒质之间提供最低的热 阻。采用此方法，能使Tj降低超过30K （取决于负载条件和芯片配 置）；以改进的绑定线工艺增强功率循环能力；选择适当的塑料材料和经过优化的工艺参数来避免在温度大幅度摆动下出现破裂；预 成型的功率端子能避免在生产过程中出现微裂痕。

需解决的主要技术难题

1. 解决的主要技术问题；

在封装设计方面，通过搭建机、电、热和磁集成仿真平台，并 结合材料与工艺，对模块布局进行三维温度场、电磁场和应力场综 合设计。

2. 开展的共性技术研究；

搭建机、电、热和磁集成仿真平台，对模块布局进行三维温度 场、电磁场和应力场综合设计，实现IGBT模块可靠性提升能力。

3. 实现场景的示范作用。

提高IGBT模块可靠性和寿命长的同时获得最佳的性价比：以经 过优化的AlSiC基板和Si3N4陶瓷的组合来提供最低的分层效应； 使用间距物进一步减轻分层效应；

期望实现的主要技术目标

(1) 提升产品质量标准：IGBT模块技术指标、可靠性、测试要 求等全面符合欧洲标准。

(2) 明显改善良品率水平和一致性：通过生产环境和设备改造， 使良品率水平从现在约到90%,从而显著提升产品核心竞争力和品牌 知名度。

      （3）IGBT封装和测试技术：通过长期技术积累和自主研发完成 IGBT封装和测试技术，开发IGBT产品。

需求解析

解析单位：湖北省襄阳市 解析时间：2022-10-11

吴涛

科创中国试点城市（襄阳）工作小组

主任

综合评价

综合实力居国内大功率半导体行业前列、研发实力强、发展前景好。技术需求真实，为公司主导产业领域，属于本次挑战赛高端装备制造和新能源汽车重点领域。

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处理进度