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行业领域

电子信息技术,计算机及网络技术

需求背景

2D/3D硅桥芯片技术与先进封装技术具有相近的共性工艺模块，但其尺寸更小、对位精度更高、圆片更薄，对薄膜应力匹配、TSV-有源器件的电/磁（EM）耦合模型提出了新要求。当前成熟的先进封装一方面尺寸大、对位精度低，另一方面没有包括有源器件耦合问题，特别是光器件的工艺规则和模型。该项目的研究可以满足高性能光电微系统的多功能、高密度、小型化集成需求，具有很好的市场前景。

需解决的主要技术难题

针对异质异构光电微系统对3D集成技术的发展需求，开展硅通孔（TSV）、再布线（RDL）、晶圆键合（Bonding）和微凸点（μBump）四大工艺模块研究，突破超薄（≤50μm）整晶圆减薄技术、混合界面（Cu-Cu&Oxide-Oxide）键合对准技术、小尺寸高纵横比TSV工艺技术等关键技术，建立包括5×50μm TSV、OL≤***μm Cu-Cu/Oxide-Oxide混合界面晶圆键合、大马士革RDL、CD≤40μm μBump、单层晶圆厚度≤50μm的3D集成工艺平台，满足CMOS图像传感器（CIS）的3D集成和50-100G硅光模块、微波光子等光电微系统的***集成加工需求。

期望实现的主要技术目标

（1）技术总结报告；

（2）四大共性工艺模块IP（包括工艺器件检测结构GDS、工艺模块Flow、单工序工艺菜单、工艺设计规则、Models等）；

（3）全局快门CIS三层关键结构：包括5×50μm TSV、OL≤***μm Cu-Cu/Oxide-Oxide混合键合界面、S/L=5/5μm的RDL、CD≤40μm μBump、单层晶圆厚度≤50μm。

（4）50-100G硅光模块和微波光子集成用***硅转接板，包括：10×100μm TSV、硅转接板正反面双层Cu-RDL&S/L=10/10μm、CD≤200μm&Cu+AgSn Bump、硅转接板厚度100±5μm。

（5）单层TSV CP测试，RTSV≤150mΩ/孔，成品率≥90%。

需求解析

解析单位：重庆市高新区 解析时间：2022-10-25

徐爽

重庆育成发展有限公司

副部长

综合评价

该项目针对异质异构光电微系统对3D集成技术的发展需求，开展硅通孔（TSV）、再布线（RDL）、晶圆键合（Bonding）和微凸点（μBump）四大工艺模块研究，在目前3D集成技术中为重要工艺模块，市场前景好，同时也对行业技术进行优化，可行性较高。

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