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行业领域

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需求背景

随着移动电子产品的需求日益增加，对芯片封装的集成度要求越来越高，而传统SiP封装中，芯片和元器件较少，集成度低，体积大，开发高密度3D双面塑封SiP封装有助于缩小产品的体积，大幅提高集成度。 

同时因为系统功能的增加， 同一封装体内各功能模块的干扰也会增加， 需要对相应的高密度分腔电磁屏蔽方法进行研究和量产设计与工艺开发。

需解决的主要技术难题

1.高密度SiP分腔电磁屏蔽的研究。

*** Power DensitySiP散热增强结构的研究.

具体：

1、高密度SiP分腔电磁屏蔽的研究： 随着移动电子产品的需求日益增加，对芯片封装的集成度要求越来越高，而传统SiP封装中，芯片和元器件较少，集成度低，体积大，开发高密度3D双面塑封SiP封装有助于缩小产品的体积，大幅提高集成度。 同时因为系统功能的增加， 同一封装体内各功能模块的干扰也会增加， 需要对相应的高密度分腔电磁屏蔽方法进行研究和量产设计与工艺开发， 如1） 激光开槽与银胶填充屏蔽； 2） 金属打线屏蔽；3） 其它屏蔽方式。

2、High Power Density SiP散热增强结构的研究： 高端fcBGA-SiP， 大功率电源SiP 和AiP 面临封装散热性提升的挑战。结合不同的封装体结构，需要对3类 high powerdensity SiP 封装平台 （高端fcBGA-SiP， 大功率电源SiP 和AiP）的工艺性， 散热性和仿真模型分别进行研究和完善。

期望实现的主要技术目标

技术指标：

Ø  高密度SiP分腔电磁屏蔽的研究：

Ø  开发国产的激光开槽和银胶填充工艺。

Ø  完善和研发金属线柱屏蔽方式和设计规则

Ø  研究其它屏蔽方式的可行性和量产性。

Ø  High Power Density SiP散热增强结构的研究：

Ø  大尺寸fcBGA-SiP 的散热研究与可量产结构与工艺的实现。

Ø  大电流功率电源控制SiP的散热研究与可量产结构与工艺的实现。

多芯片AiP的散热研究与可量产结构与工艺的实现

处理进度