高效率碳化硅功率器件的研发
价格 双方协商
地区: 河南省 洛阳市 市辖区
需求方: 麦斯***公司
行业领域
高端装备制造产业,制造业
需求背景
公司现有4、5英寸硅晶圆生产线各一条,拥有设备180余台套,其中研发工艺设备40余台套,测试设备20余台套,设备为日本进口的5-6寸半导体专用开发设备,线宽***μm,可满足专用集成电路的设计、研发、流片工作。公司生产环境,动力设施等基础设施较齐全,现有净化厂房7600平方米,其中实验室面积1000平方米,前工序生产净化等级为100级、1000级,水电气配套系统完善。公司已拥有以下资质和荣誉:1.公司现已取得发明专利19项、实用新型9项。2.公司控股的新型研发机构获批省级新型研发机构。3.公司批复承担省级科技开发合作专项1项。4.公司通过国家科技成果登记2项。5.企业新开发产品3个,正在开发产品4个,有效保证了企业后续发展动力。
需解决的主要技术难题
解决技术指标:*** JBS产品工艺方案。*** SiC JBS:反向击穿电压>650V;反向泄漏电流<1mA@600V;正向开启电压<2V;电流30A。*** SiC JBS:反向击穿电压>1200V;反向泄漏电流<1mA@1200V;正向开启电压<2V;电流30A。4.可靠性评估试验报告。
期望实现的主要技术目标
实现满足电力电子和电动汽车电源用SiC JBS二极管器件的研发,优化器件结构设计,实现高效率,高可靠性SiC器件的设计,制造和产业化,形成批量生产的1200V SiC 功率芯片批量技术,研制碳化硅全桥功率模块。
处理进度